电子有源器件专用集成电路IPD70R900P7SAUMA1,英飞凌MOS场.. 免费发布专用集成电路信息

IPD70R900P7SAUMA1,英飞凌MOS场效应管原装

更新时间:2025-03-12 02:35:56 编号:a433ufs2gc88ee
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周玉军

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IPD70R900P7SAUMA1,英飞凌MOS场效应管原装

关键词
英飞凌MOSFET管原装
面向地区
全国

IPD90R1K2C3ATMA2
功能摘要
低比导通电阻(RDS(开启)*一)
输出电容中的能量存储非常低(E开放源码软件) @400V
低栅极电荷(Qg)
经过现场验证的酷苔质量™
CoolMOS™技术自1998年以来一直由英飞凌制造
优点:
率和功率密度
出色的性价比
高可靠性
易于使用Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IPD90R1K2C3ATMA2
IPD95R1K2P7ATMA1
IPD95R2K0P7ATMA1
IPD95R450P7ATMA1
IPD95R750P7ATMA1
IPI051N15N5AKSA1
IPI60R125CPXKSA1
IPI60R190C6XKSA1
IPI60R199CPXKSA1
IPI60R280C6XKSA1
IPI65R600C6XKSA1
IPI70R950CEXKSA1
IPL60R065P7AUMA1
IPL60R085P7AUMA1
IPL60R104C7AUMA1
IPL60R125P7AUMA1
IPL60R180P6AUMA1
IPL60R185C7AUMA1
IPL60R185P7AUMA1
IPL60R199CPAUMA1
IPL60R210P6AUMA1
英飞凌常用MOSFET型号大量现货,欢迎商务联系合作!

汽车 N 沟道 MOSFET
凭借采用多种封装的汽车 N 沟道 MOSFET 产品组合,我们的 MOSFET 可提供的设计灵活性并满足广泛的需求。从 3mm x 3mm 开始,到 10mm x 15mm 的尺寸,您可以找到满足您应用需求的 MOSFET。
此外,新发布的用于40V电机驱动应用的半桥封装,以及用于高功率密度应用的新顶部冷却10mm x 15mm,完善了满足这些特殊要求的产品组合,分别节省了空间和冷却组件的额外成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号:
IPD60R180P7ATMA1
IPD60R1K0CEAUMA1
IPD60R1K4C6ATMA1
IPD60R1K5CEAUMA1
IPD60R280P7ATMA1
IPD60R360P7ATMA1
IPD60R380E6BTMA1
IPD60R380P6ATMA1
IPD60R385CPATMA1
IPD60R3K3C6ATMA1
IPD60R3K4CEAUMA1
IPD60R400CEAUMA1
IPD60R450E6ATMA1
IPD60R600C6ATMA1
IPD60R600E6BTMA1
IPD60R600P7ATMA1
IPD60R650CEAUMA1
IPD60R750E6ATMA1
IPD60R800CEAUMA1
IPD60R950C6ATMA1
原装承诺,合作共赢!

IPP040N06NAKSA1特性:
OptiMOS™ 5 60V针对开关模式电源(SMPS)的同步整流进行了优化,例如服务器、台式机和平板电脑充电器中的电源。此外,这些器件是各种工业应用的理想选择,包括电机控制、太阳能微型逆变器和快速开关 DC-DC 转换器。
主要功能:
针对同步整流进行了优化
R 降低 40%DS(开启)比替代设备
FOM 比同类设备提高 40%
符合 RoHS 标准 - 无卤素
MSL1 等级
优点:
高的系统效率
需要更少的并联
提高功率密度
降低系统成本
极低电压过冲
IPP040N06NAKSA1
IPP060N06NAKSA1
IPP100N06S2L-05
IPP100N08S2L-07
IPT004N03LATMA1
IPT007N06NATMA1
IPT012N06NATMA1
IPZ40N04S5L-2R8
IPZ40N04S5L-7R4
IRF100P218AKMA1
IRF100P219AKMA1
IRF100P219XKMA1
IRF1010ESTRLPBF
IRF1010NSTRLPBF
IRF1010NSTRRPBF
IRF1010ZSTRLPBF
IRF1018ESTRLPBF
IRF1310NSTRLPBF
IRF1404ZSTRLPBF
IRF1405ZSTRLPBF
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