湖北PTFE花篮特氟龙清洗花篮

白色、无臭、无味、的粉状物，俗称“塑料王”。具有优良的化学稳定性、耐腐蚀性、密封性、高润滑不粘性、电绝缘性和良好的耐力。耐高温，使用工作温度达250℃。耐低温，低温下具有良好的机械韧性，即使温度下降到－196℃，也可保持5%的伸长率。耐腐蚀，对大多数化学药品和溶剂表现出惰性，能耐强酸强碱、水和各种有机溶剂。耐候性好，有塑料中佳的老化寿命。高润滑，是固体材料中摩擦系数低者。不黏附，是固体材料中表面张力小者，不黏附任何物质。

优点
1.外观纯白色。

2.耐高低温性：可使用温度-200℃～＋250℃。

3.耐腐蚀：耐强酸、强碱、王水和各种有机溶剂，且无溶出、吸附和析出现象。

4.防污染：金属元素空白值低。

5.绝缘性：不受环境及频率的影响，介质损耗小，击穿电压高。

6.耐大气老化，耐辐照和较低的渗透性。

7.自润滑性：具有塑料中小的摩擦系数。

8.表面不粘性：是一种表面能小的固体材料。

半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。

大直径晶片的清洗采用上述方法不好其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法，其清洗过程是在室温下重复利用DI-O 3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3 ）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果，不会发生交叉污染。后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。为了避免水渍，采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇（IPA）进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果，清洗过程中通过采用DI水及HF的再循环利用，降低化学品的消耗量，提高晶片成本效益。

除熔融金属钠和液氟外，和一切化学药品不反应。在化工生产中，用做设备衬里、分馏塔、波纹管、泵、阀门、密封垫片等；机械工业上，用做密封件、活塞环、转动轴承等；电子工业上，用于电子计算机信号线绝缘、电缆绝缘、高频电子仪器绝缘以及制造高频电缆、电容器、导线等

PTFE的机械性能相对于其他塑料差一些，但在-73℃至204℃宽温度范围内，其性能仍保持在有用的水平。通常通过添加一些填充物来增加其机械性能，它具有非常的热电绝缘性能并且摩擦系数很低。PTFE非常致密且不能进行熔融加工，将其压缩并烧结以形成有用的形状。