STM32F103R8T6TR,ST意法集成电路单片机

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM8S003F3P6TR规格描述：
STM8S003F3/K3 value line 8位微控制器提供8k字节的闪存程序存储器，以及集成的真数据EEPROM。在STM8S微控制器系列参考手册(RM0016)中，它们被称为低密度器件。
STM8S003F3/K3 value line器件具有以下优势:性能、稳定性和降低的系统成本。

以下是ST意法部分型号：
STM8S003F3P6TR
STM32F103VCT6
STM32F030C8T6
STM32F429ZGT6
STM32F103C8T6
VN7050ASTR
VNLD5300TR-E
VNQ7003SYTR
STPS2H100U
ST1S14PHR
ST1480ABDR
SPC584C70E3FMC0X
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STM32F427VIT6性能：
STM32F427xx和STM32F429xx器件基于Arm®Cortex -M4 32位RISC内核，工作频率高达180 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个存储器保护单元(MPU ),增强了应用的安全性。
所有器件都提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、12个通用16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器和两个通用32位定时器。它们还具有标准和通信接口。
其他ST意法部分型号：
ST25R3911B-AQFT
STGD25N40LZAG
STM32F302CBT6TR
STM32WB55VGY6TR
STM8S005C6T6TR
STPM34TR
STWD100NPWY3F
TSV914IPT
VL6180V1NR/1
VN7050AJTR
我们只做原装，ST/意法常用型号备有大量现货，更多型号请咨询

VND5160AJTR-E特性：
VND5160AJ-E是采用意法半导体VIPower技术制造的单片器件。它用于驱动一侧接地的阻性或感性负载。活跃的V抄送引脚电压箝位保护器件免受低能量尖峰影响(参见ISO7637瞬态兼容性表)。该器件集成模拟电流检测功能，当CS_DIS被拉低或保持开路时，该功能提供与负载电流成比例的电流(根据已知比率)。当CS_DIS被拉高时，电流检测引脚处于高阻态。输出电流限制可在过载情况下保护器件。在过载持续时间较长的情况下，器件会将功耗限制在安全水平，直至热关断干预。具有自动重启功能的热关断允许器件在故障条件消失后立即恢复正常工作。

其他部分型号：
STM32L452CEU6
STM32L431RCT6
STM32L433RCT6TR
VND5T100LAJTR-E
VND5T035LAKTR-E
STHV1600L
STM32F072V8T6
STM32F100RDT6BTR
STM32F373RCT6
STM32G431VBT6
STM32L476VGT7
STP75NF20ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

LD3985M28R与低ESR电容兼容的低压降低噪声BiCMOS稳压器:
LD3985 在 2.5 V 至 6 V 输入电压范围内提供高达 150 mA 的电流。低压降、低静态电流和低噪声使其适用于低功耗应用和电池供电系统。稳压器接地电流仅在压差时略有增加，从而延长了电池寿命。
电源抑制在低频时优于60 dB，在10 kHz时滚降。高电源抑制保持在电池供电电路常见的低输入电压电平。提供关断逻辑控制功能，这意味着当器件用作本地稳压器时，可以将电路板的一部分置于待机状态，从而降低总功耗。LD3985 设计用于低 ESR 陶瓷电容器。典型应用是移动电话和类似的电池供电无线系统。
STM32G473xB/xC/xE器件基于Arm® Cortex-M4® 32位RISC内核。它们的工作频率高达 170 MHz。
Cortex-M4内核具有单精度浮点单元（FPU），支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP（数字信号处理）指令和存储器保护单元（MPU），从而增强了应用的安全性。
这些器件嵌入了高速存储器（512 KB 闪存和 128 KB SRAM）、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器 （FSMC）（适用于具有 100 引脚及更多引脚封装的设备）、四通道 SPI 闪存接口以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
ST意法部分型号：
STM32F401RDT6TR
STM32F429ZIT6
STM32F765IIK6
STM8AF6246UCX
STM32F429VIT6
STM32L471VET6TR
STM32F205VGT7
STM32G431KBU3
STM32F469AIH6
STM32G474RET3
STM32F303CBT7
STM32G473RCT6
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STM32F103VBT6特性：
这些器件采用2.0至3.6 V电源供电。它们的工作温度范围为–40至+85°C和–40至+105°C扩展温度范围。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。
STM32F103xx中密度系列包括六种不同封装类型的器件:从36引脚到100引脚。根据所选的器件，包括不同的外设集，下面的描述概述了该系列中建议的所有外设。
这些特性使STM32F103xx中密度系列微控制器适合各种应用，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外设、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
其他更多型号：
STM32F401CBU6
STM32F400RBT6
VNH5019ATR-E
VND7004AYTR
VNI8200XPTR
VNN1NV04PTR-E
VN5E050AJTR-E
VNQ5E050AKTR-E
VND5T016ASPTR-E
VNL5090S5TR-E
VN5T006ASPTR-E
VND5050AKTR-E
VN5T016AHTR-E
VND5012AKTR-E
VNQ5027AKTR-E
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VNLD5090TR-E产品描述
VNLD5090-E是采用意法半导体VIPower技术制造的单芯片器件，用于驱动电阻性或电感性负载，其一端连接到电池。内置热关断保护芯片免于过热和短路。输出电流限制可在过载情况下保护器件。在长时间过载的情况下，器件会将功耗限制在安全水平，直至热关断干预。具有自动重启功能的热关断允许器件在故障条件消失后立即恢复正常运行。感性负载的快速退磁在关断时实现。

更多其他型号：
VNLD5090TR-E
VN7003ALHTR
VN750B5TR-E
STTH2003CG-TR
LDK320AM120R
M93C46-WMN6TP
ST25RU3993-BQFT
STD4NK100Z
STM32F072CBU6TR
STM32F437VIT6TR
STM32L073RBH6TR
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