宁波晶圆导片器晶圆传片机

晶圆随着芯片技术升级和降低成本需要而不断发展。在降低成本方面，通过不断变大晶圆尺寸以容纳更多电路和减少废弃比例就是晶圆的历史发展趋势。从1970年代至今，晶圆尺寸已经由过去的100mm（4英寸）发展至当前的300mm（12英寸）。根据IC Insight统计，2016年晶圆出货量为10738百万平方英寸，其中300mm晶圆占晶圆产能的63.6%，预计到2021年，将有123家12英寸晶圆厂，产能占比将达到71.2%。由于目前18英寸晶圆技术尚未成熟，且成本高昂，需求不足，未来几年内300mm（12英寸）晶圆仍将是主流技术路线

校准区截面呈方形，晶圆上料装置和晶圆收料装置对应设置在方形的相邻两侧边，晶圆取放装置对应设置在晶圆上料装置和边缘式校准器之间，且自动导片机还包括位于校准区的负离子发生器。这样设置，结构紧凑，设备运行，同时，负离子发生器可产生大量带有正负电荷的气流，可以将晶圆检测区内的物体表面所带电荷中和。

加工优势：

1、划片速度快，，成片率高，切割速度150mm/s

2、非接触式加工，无机械应力，适合切脆性易碎晶圆

3、CCD快速定位功能，实现同轴监视或旁轴监视功能

4、二维直线运动平台，高精密DD旋转平台，大理石基石，稳定可靠，热变形小

5、操控系统，全中文操作界面，操作直观、简易、界面良好

6、无需砂轮刀、蓝膜、去离子水等耗材，高可靠性和稳定性，划片质量高，玻璃钝化层无崩裂和微裂纹。

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。

晶圆的集成电路制造，为了降低器件热阻、提高工作散热及冷却能力、便于封装，在硅晶圆正面制作完集成电路后，需要进行背面减薄。晶圆的背面研磨工艺，是在晶圆的正面贴一层膜保护已经制作好的集成电路，然后通过研磨机来进行减薄。晶圆背面研磨减薄后，表面会形成一层损伤层，且翘曲度高，容易破片。为了解决这些问题，需要对晶圆背面进行湿法硅腐蚀，去除损伤层，释放晶圆应力，减小翘曲度及使表面粗糙化。使用槽式的湿法机台腐蚀时，晶圆正面及背面均与腐蚀液接触，正面贴的膜耐腐蚀，从而保护正面的集成电路。使用单片作业的湿法机台，晶圆的正面通常已被机台保护起来，不会与腐蚀液或者腐蚀性的气体有接触，可以撕膜后再进行腐蚀。
晶圆测试是对晶片上的每个晶粒进行针测，在检测头装上以金线制成细如毛发之探针，与晶粒上的接点接触，测试其电气特性，不合格的晶粒会被标上记号，而后当晶片依晶粒为单位切割成立的晶粒时，标有记号的不合格晶粒会被淘汰，不再进行下一个制程，以免徒增制造成本。