IPT014N08NM5ATMA1，英飞凌场效应管原装供应商

英飞凌提供广泛的汽车P沟道功率MOSFET产品组合，采用引线封装，采用OptiMOS™ -P2和Gen5技术。
我们的汽车 P 沟道 MOSFET 产品组合提供 30V、40V、55V 和 150V 产品，具有全球低的 RDS（开启）在 40 V 和高电流能力
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPD650P06NMATMA1
IPD65R190C7ATMA1
IPD65R1K4C6ATMA1
IPD65R225C7ATMA1
IPD65R380C6BTMA1
IPD65R380E6ATMA1
IPD65R600E6ATMA1
IPD65R950C6ATMA1
IPD70R600CEAUMA1
IPD70R950CEAUMA1
IPD78CN10NGATMA1
IPD80R1K0CEATMA1
IPD80R1K4P7ATMA1
IPD80R2K0P7ATMA1
IPD80R2K4P7ATMA1
IPD80R2K8CEATMA1
IPD80R450P7ATMA1
IPD80R4K5P7ATMA1
IPD80R900P7ATMA1
IPD900P06NMATMA1
更多型号请联系我们的业务专员，我们将竭诚为你服务！

静电保护_浪涌电压保护
EiceDRIVER™ 栅极驱动器，用于驱动MOSFETs，IGBTs，碳化硅MOSFET， 以及氮化镓HEMT
每个功率器件都需要一个驱动芯片——合适的驱动芯片让您事半功倍。电力电子应用是基于功率器件技术。而所有功率器件都需要合适的栅极驱动器解决方案。因此，我们提供500多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器，适用于任何功率器件，和任何终端应用。
EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供从0.1 A到10 A的一系列的典型输出电流选项。具有全面的保护功能，包括快速短路保护（DESAT），有源米勒钳位，直通短路保护，故障报告，关断，过流保护。使得这些驱动适用于包括CoolGaN™和 CoolSiC™在内的所有功率器件
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
SPP07N60C3XKSA1
SPP08N50C3XKSA1
SPP08N80C3XKSA1
SPP11N60C3XKSA1
SPP11N80C3XKSA1
SPP15N65C3XKSA1
SPP17N80C3XKSA1
SPP18P06PHXKSA1
SPP20N60S5XKSA1
SPP21N50C3XKSA1
SPP24N60C3XKSA1
SPP80P06PHXKSA1
SPS01N60C3BKMA1
SPS04N60C3AKMA1
SPW11N80C3FKSA1
SPW15N60C3FKSA1
SPW16N50C3FKSA1
SPW17N80C3FKSA1
SPW20N60C3FKSA1
SPW24N60C3FKSA1
英飞凌常用型号常备现货，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

SPB80P06P-G描述：
P 沟道增强模式 场效应晶体管 （FET）， -60V， D2PAK
英飞凌高度创新的OptiMOS™系列包括p沟道功率MOSFET。这些产品始终如一地满足电源系统设计关键规格的和性能要求，例如导通电阻和品质因数特性。
功能摘要：
增强模式
雪崩等级
快速切换
额定分量/分吨
无铅镀铅
符合 RoHS 标准，无卤素
符合 AEC Q101 标准
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
ISC0806NLSATMA1
ISZ0501NLSATMA1
ISZ0602NLSATMA1
ISZ0703NLSATMA1
ISZ0803NLSATMA1
ISZ0804NLSATMA1
SPA06N80C3XKSA1
SPA07N60C3XKSA1
SPA08N50C3XKAS1
SPA08N80C3XKSA1
SPA11N65C3XKSA1
SPA11N80C3XKSA2
SPA17N80C3XKSA1
SPA20N60C3XKSA1
SPA20N65C3XKSA1
SPA21N50C3XKSA1
SPB03N60C3E3045
SPB18P06PGATMA1
SPB21N50C3ATMA1
SPB80P06PGATMA1
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！