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晶圆倒片机是用来调整集成电路产线上晶圆生产材料序列位置的一款设备，它的任务是将产线上的晶圆通过制程需要进行分批、合并、翻转后进行下一道程序，这就要求晶圆倒片机拥有的传送效率和洁净程度。
晶圆随着芯片技术升级和降低成本需要而不断发展。在降低成本方面，通过不断变大晶圆尺寸以容纳更多电路和减少废弃比例就是晶圆的历史发展趋势。从1970年代至今，晶圆尺寸已经由过去的100mm（4英寸）发展至当前的300mm（12英寸）。根据IC Insight统计，2016年晶圆出货量为10738百万平方英寸，其中300mm晶圆占晶圆产能的63.6%，预计到2021年，将有123家12英寸晶圆厂，产能占比将达到71.2%。由于目前18英寸晶圆技术尚未成熟，且成本高昂，需求不足，未来几年内300mm（12英寸）晶圆仍将是主流技术路线
校准区截面呈方形，晶圆上料装置和晶圆收料装置对应设置在方形的相邻两侧边，晶圆取放装置对应设置在晶圆上料装置和边缘式校准器之间，且自动导片机还包括位于校准区的负离子发生器。这样设置，结构紧凑，设备运行，同时，负离子发生器可产生大量带有正负电荷的气流，可以将晶圆检测区内的物体表面所带电荷中和。
硅晶圆切片工艺是在“后端”装配工艺中的步。在芯片的分割期间，刀片碾碎基础材料(晶圆)，同时去掉所产生的碎片。材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的切割线(迹道)发生的。冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内，改善切割品质，和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。
在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度，要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时的一个常见的推荐是，选择尽可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20µm)是非常脆弱的，更容易过早破裂和磨损。结果，其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于50~76µm迹道的刀片推荐厚度应该是20~30µm。
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆,在半导体芯片的制作过程中,在晶圆表面形成多个芯片区域后,需要先在间隔处划出隔道而后再将一整块晶圆裂片成多个单的芯片。
