产品别名 |
锂电保护芯片,单点触摸芯片,压电传感芯片 |
面向地区 |
全国 |
锂电池保护芯片正常状态下，任意一节电池电压过充检测电压（Voc），且超过过充保护延迟时间（Toc），CO输出高阻态关断充电MOSFET，CW1055进入过充保护状态。
锂电保护芯片过充电保护解除条件：
1.所有电池电压处于过充解除电压（Vocr）以下且超过过充解除延迟时间（Tocr）。
2.VM端电压大于负载检测电压（Vload）且所有电池电压都低于过充检测电压（Voc）。
锂电保护芯片过放电状态
正常状态下（无负载），任意一节电池电压低于过放保护电压（Vod），且超过过放保护延迟时间（Tod），DO输出低电平关断放电 MOSFET，CW1055进入过放保护状态。同时CO输出高阻态，关断充电 MOSFET。
当电池电压在正常条件下放电期间下降到过放电检测电压(VDL)以下，并且持续时间达到过放电检测延迟时间(tDL)或更长时，DW06关闭放电控制FET并停止放电。这种情况称为过放电条件。放电控制FET关闭后， VM引脚被DW06中VM和VDD之间的RVMD电阻拉高。同时，当VM大于1.5 V（典型值）（负载短路检测电压）时，芯片的电流降低到断电电流（IPDN）。
最近来访记录
