AR0237CSSC12SHRA0-DR，图像传感器原装供货

MM74HC08简述：
MXMM74HC08 AND门采用的硅栅CMOS技术，可实现与LS-TTL门相似的工作速度，并具有标准CMOS集成电路的低功耗。HC08 具有缓冲输出，提供高抗噪性，并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列在功能和引脚排列上与标准 74LS 逻辑系列兼容。所有输入均受到内部二极管箝位的保护，不会因静电放电而损坏至 V抄送和地面。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FCH110N65F-F155
NVH4L060N090SC1
NTH4L070N120M3S
NTH4L045N065SC1
NTH4L014N120M3P
NTH4L060N090SC1
NTH4L022N120M3S
NVH4L045N065SC1
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NCP4318BLCDR2G：
NCP4318是一种混合模式，它使用瞬时漏极电压和先前死区时间信息，用于LLC谐振转换器的同步整流（SR）控制器，只需少的外部元件。自适应死区时间控制可补偿感应寄生电感电压，以大限度地提高SR MOSFET导通和效率。多级关断阈值控制和 SR 电流反转检测功能可防止快速负载瞬变期间的反转电流，并允许在整个负载范围内稳定地 SR 操作。此外，为了提高轻载效率，VGATE自适应地从10V降至6V/5V。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
ISL9V5036P3-F085
AFGY160T65SPD-B4
FGH50T65SQD-F155
FGH50T65SQD-F155
FGH75T65SHD-F155
FGH75T65SHD-F155
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FCH085N80-F155功率场效应管， MOSFET， N沟道， SUPERFET II， 800 V， 46 A， 85 mΩ， TO-247
SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 （SJ） MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在大限度地降低传导损耗，提供的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适合开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD 电视电源、ATX 电源和工业电源应用。®
UC3843BVD1R2G简述：
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
CAT5132ZI-10-GT3
CAT5113VI-01-GT3
ISL9R3060G2-F085
FGB20N60SFD-F085
FGH75T65SQD-F155
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MC7905CTG系列简述：
MC7900 固定输出负线性稳压器旨在作为广受欢迎的 MC7800 系列器件的补充。该负电压稳压器提供与 MC7800 器件相同的七种电压选项。此外，负极 MC7900 系列还提供 MECL 系统中常用的一个额外电压选项。
这些线性稳压器提供 -5.0 V 至 -24 V 的固定输出电压选项，采用电流限制、热关断和安全区域补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。通过足够的散热，它们可以提供超过 1.0 A 的输出电流。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NTMTS0D7N06CLTXG
NVMFS5C404NAFT1G
NVMFS6H801NWFT1G
NTMFS4D2N10MDT1G
NVMFS5C420NWFT1G
NTMFS5C410NLTT1G
NTMFS5C410NLTT1G
NTMFS006N12MCT1G
NVMFS6H800NWFT1G
NXH35C120L2C2S1G
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MOC3041SR2M概述：
MOC303XM和MOC304XM器件由一个光耦合到单片硅探测器的AlGaAs红外发射二极管组成，该二极管具有零电压交叉双边三端双向可控硅驱动器的功能。
它们设计用于逻辑系统接口中的三端双向可控硅，用于由 115VAC 线路供电的设备，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NB100LVEP221MNRG
M74VHC1GT126DF1G
MC100LVEP05MNTXG
FCH029N65S3-F155
NTTFS2D1N04HLTWG
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NCV3063MNTXG
该降压-升压反相开关稳压器由内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和高电流输出开关组成。新功能包括内部热关断保护和逐周期电流限制。该系列设计用于降压（降压）和升压（升压）以及电压反相应用，只需少的外部元件。该NCV3063可用于汽车应用。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NOIP1SE0480A-STI1
NCV8187AMLE330TCG
FFSH20120ADN-F155
FFSH20120ADN-F155
FFSH40120ADN-F155
FFSH15120ADN-F155
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NTMFS6H818NT1G单N沟道功率MOSFET，80V，123A，3.7mΩ
汽车功率MOSFET采用5x6mm扁平引线封装，专为紧凑、的设计而设计，并具有高热性能。
NUP4202W1T2G
NUP4202W1浪涌保护器设计用于保护高速数据线免受 ESD、EFT 和雷击的影响。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NVMFS2D3P04M8LT1G
NVMFS5C638NLWFT1G
MT9J003I12STMU-DP
MT9P006I12STCU-DR
AR0140CS2C00SUEA0
AR0833CS3C12SUAA0
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CAT4104V-GT3简述：
CAT4104 提供四个匹配的低漏汲电流，可驱动串联的高亮度 LED，每个沟道可高达 175 mA。LED 沟道电流通过联接 RSET 引脚的外部电阻器进行设置。LED 引脚可兼容高 25 V 的高电压，支持带有多个 LED 串联的应用。EN/PWM 逻辑输入支持器件启用和高频外部脉宽调制 (PWM) 调光控制。该器件结合了高温关断保护，可在片温度超过 150°C 时禁用 LED 输出。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
AR0230CSSC12SUEA0-DR
AR1820HSSC00SHEA0-DR
AR0237CSSC12SPRA0-DR
AR0237CSSC12SHRA0-DR
FCPF250N65S3R0L-F154
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NCV7356D1R2G/NCV7356D2R2G简述：
NCV7356 是一款用于单线数据链路的物理层器件，能够使用多种具碰撞分解的载波感测多重存取 (CSMA/CR) 协议运行，如博世控制器区域网络 (CAN) 2.0 版。此串行数据链路网络适用于不需要高速数据的应用，低速数据可在物理介质部件和微处理器和/或使用该网络的逻辑器件中实现成本降低。该网络应该能够以正常数据速率模式或高速数据下载模式运行，适用于组装生产线和服务数据传输运行。高速模式仅在总线连接板外服务节点时运行。此节点应提供实现更高速运行的临时总线电子负载。此类临时负载在不执行下载运行时应消除。正常通信的典型比特率为 33 kbit/s，对于上述高速传输，推荐的典型比特率为 83 kbit/s。NCV7356 是根据单线 CAN 物理层规范 GMW3089 V2.3 设计的，支持很多附加功能，如欠压锁定、故障阻断输入信号超时、总线振铃时的输出间隔时间，以及极低睡眠模式电流。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
AR0134CSSC00SPCA0-DPBR
AR0130CSSC00SPCA0-DPBR
AR0130CSSM00SPCA0-DRBR
AR0230CSSC12SUEA0-DR-E
NCH-RSL10-101Q48-ABG
NCH-RSL10-101S51-ACG
MICROFC-60035-SMT-TR
ON/安森美全系只做原装，我们承诺每一片芯片均来自原厂。