PRX整流管R5021413LSWA充电设备性能可靠

整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。

整流二极管选用：
1、整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中；
2、选用整流二极管时，主要应考虑其大整流电流、大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数；
3、普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择大整流电流和大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等；
4、开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。还有一种肖特基整流二极管。

整流二管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正和负两个端子。二管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二管的正流入，负流出。

整流二管具有明显的单向导电性。整流二管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二管主要用于低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。

二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可
各种二极管的符号
各种二极管的符号
分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极

管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管

、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管

。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝

一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过
贴片二极管
贴片二极管
较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极

管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直

流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而

且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。

二极管主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。
⒈正向特性
当加在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），

管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电
二极管伏安特性曲线
二极管伏安特性曲线
压再稍微，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为

0.5-0.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
⒉反向特性
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变

，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线Ⅱ段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅

管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，

锗管的稳定性比硅管差。
⒊击穿特性
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压

称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1

伏到几百伏，甚达数千伏。
⒋频率特性
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电

性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。