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晶闸管的主要电参数有正向转折电压、正向平均漏电流、反向漏电流、断态重复峰值电压、反向重复峰值电压、正向平均压降 、通态平均电流、门触发电压、门触发电流、门反向电压和维持电流等，晶闸管有一个重要特点，就是它一旦导通后控制即失去控制作用，器件始终处于 导通状态除非阳对阴电压降低到很小，致使阳电流降到某一数值之下。

晶闸管可工作的大频率由其工作时的电流脉冲宽度，关断时间以及从关断后承受正压开始至其再次开通的时间决定。fmax=1/(tq+tp+tV)。根据工作频率选取元件时元件从正向电流过零至开始承受正压的时间间隔tH>tq，并留有一定的裕量。随着工作频率的升高，元件正向损耗和反向恢复损耗随之升高，元件通态电流须降额使用。

晶闸管的工作原理：
1、晶闸管具有单向导电性：正向导通条件：A、K间加正向电压，G、K间加触发信号；
2、晶闸管一旦导通，控制失去作用：若使其关断，降低UAK或加大回路电阻，把阳电流减小到维持电流以下；
晶闸管的结构：晶闸管由四层半导体材料构成，它有三个：阳，阴和门。晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。

晶闸管的过电压保护 ：
1、过电压：当加在晶闸管上的电压超过额定电压时称为过电压。
2、原因：电源变压器的一次侧断开或接通、直流侧感性负载的 切断、快速熔断器的熔断、突然跳闸等。
3、措施：
①、阻容保护 ：吸收回路作用：一旦电路中发生过电压，电容器被迅速充电，电容两端的电压不能突变，这就有效地抑制了过电压。阻容吸收回路可以并联在交流侧、直流侧或晶闸管侧；
②、非线性电阻保护：目前常用的非线性电阻是金属氧化物压敏电阻，它具有正反向相同的很陡的电压—电流特性；
电路正常工作时，压敏电阻不击穿，通过的漏电流很小。压敏电阻在遇到过电压时可通过高达数千安的放电电流，之后又恢复正常， 因此它抑制过电压的能力很强；
由于压敏电阻正反向特性对称，单相电路中只用一只压敏电阻，三相电路中用三只压敏电阻。

晶闸管的伏安特性
晶闸管阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管阳极电流之间关系称为晶闸管伏安特性,如图2所所示。正向特性位于象限,反向特性位于第三象限。
(1) 反向特性
当门极G开路,阳极加上反向电压时(见图3),J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,同时J3结也击穿,电流迅速增加,如图2的特性曲线OR段开始弯曲,弯曲处的电压URO称为“反向转折电压”。此后,晶闸管会发生性反向击穿。
(2) 正向特性
当门极G开路,阳极A加上正向电压时(见图4),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,如图2的特性曲线OA段开始弯曲,弯曲处的电压UBO称为“正向转折电压”。
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子进入N1区,空穴进入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合。同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿后，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉。这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍有增加,电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图2中的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，晶闸管便进入正向导电状态——通态,此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，如图2的BC段。
(3) 触发导通
在门极G上加入正向电压时(如图5所示),因J3正偏,P2区的空穴进入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在晶闸管的内部正反馈作用(如图2)的基础上,加上IGT的作用,使晶闸管提前导通,导致图2中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

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