PRX可控硅T507044044AQ交直流开关售后保障

晶体管的主要参数：
1、反向阻断峰值电压：在额定结温和控制开路的条件下，允许重复加在阳—阴间的大反向阻断电压；
2、正向阻断峰值电压：在额定结温和控制开路及晶闸管正向阻断的条件下，重复加在阳—阴间的大正向阻断电压；
3、正向平均电流：在规定环境温度及散热条件下，允许连续通过工频正弦半波电流的平均值；
4、通态平均电压: 晶闸管导通时管压降的平均值，一般在0.4~1.2V；
5、维持电流：在室温和控制开路时，元件能维持导通状态所需的小阳电流；
6、控制触发电压和触发电流：在温室下，阳—阴间加规定的正向直流电压，使晶闸管导通所需的小控制电压和电流。

晶闸管的伏安特性
晶闸管阳极A与阴极K之间的电压与晶闸管阳极电流之间关系称为晶闸管伏安特性,如图2所所示。正向特性位于象限,反向特性位于第三象限。
(1) 反向特性
当门极G开路,阳极加上反向电压时(见图3),J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,同时J3结也击穿,电流迅速增加,如图2的特性曲线OR段开始弯曲,弯曲处的电压URO称为“反向转折电压”。此后,晶闸管会发生性反向击穿。
(2) 正向特性
当门极G开路,阳极A加上正向电压时(见图4),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,如图2的特性曲线OA段开始弯曲,弯曲处的电压UBO称为“正向转折电压”。
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子进入N1区,空穴进入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合。同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿后，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉。这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍有增加,电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图2中的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，晶闸管便进入正向导电状态——通态,此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，如图2的BC段。
(3) 触发导通
在门极G上加入正向电压时(如图5所示),因J3正偏,P2区的空穴进入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在晶闸管的内部正反馈作用(如图2)的基础上,加上IGT的作用,使晶闸管提前导通,导致图2中的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。

名称：平板式可控硅的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种平板式可控硅。
背景技术：
可控硅又称晶间管，晶间管整流器具有耐压高、容量大、、控制特性好、体积小、寿命长等诸多优点，发展迅猛。在世纪应用中，大功率晶间管整流装置一般采用平板式可控硅，其特点是可作双面冷却。目前大功率平板式可控硅的封装普遍采用陶瓷外壳的封装结构形式，虽然陶瓷材料能够绝缘、耐热，但因为陶瓷工艺易碎、杂质难控制等特点，其加工要求非常高，且封装时需要经过焊接在内的多道工序，工艺复杂，成本高，封装后良率偏低，返工需破坏性地拆封。
电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、固态继电器、有源滤波器、风力发电设备、工业传动装置、电梯或传动设备、机车与列车用电源、电能表、照明电器等各种产品上。