KP38N4200进口晶闸管5STP38N4200

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KP38N4200进口晶闸管5STP38N4200

KP38N4200进口晶闸管5STP38N4200我公司集数十年器件制造和应用经验，不断改进，不断创新，根据不同应用领域的特点，使其产品满足各种应用需要。为此我们对器件的主要特点进行介绍：
全压接硅芯片技术；
传动、能源和工业应用领域；
的功率转换能力；
叉指状放大门极。
全压接硅芯片技术
全压接硅芯片技术的基础是其硅晶片不是直接键合在钼片上，而是使其硅芯片和钼片在外部压力的作用下封装在管壳的内部，与高温键合芯片技术相比，全压接硅芯片技术使用户的成本—— 效率具有更大的性，并且可使工艺的变化和参数的波动保持在很小的范围内，这样的话可使得器件的静态和动态特性得到优化。
传动、能源和工业应用领域
因为上面的每一种应用均有其对半导体器件的特殊要求，TEG数十年内已提供了许多的器件到这些领域应用，这使得TEG 在满足客户的需求方面获得了特的经验，其失效率特别低。
优化功能转换能力
上面已经谈到，TEG获得了许多满足用户需要的特经验，因此在我们的设计中特别注意作为工程应用时在静态和动态参数之间取得满意的优化组合，尤其像工作在较高频率的特殊应用情况时。

叉指状放大门极
放大门极允许用一个小的外部门极电流去触发大的晶闸管，这样可允许用户用基本相同的门极单元去触发TEG 的相控晶闸管。相对简单中心门极结构而言，叉指门极结构是门极分布在整个的晶闸管阴极面上，这样就可使得器件在开通期间加速导通区域的扩展，这样的门极结构可使开通损耗明显减小并允许器件承受较高的di/dt。
晶闸管通常在高电压、大电流工况下运行，下面是晶闸管在运行过程中可能出现的阳极电压和电流波形。
KP系列替代ABB 电流（A） 电压（V） ABB可控硅型号
KP07D1800 730 1800 5STP07D1800
KP18F1800 1660 1800 5STP18F1800
KP50Q1800 6100 1800 5STP50Q1800
KP06D2800 620 2800 5STP06D2800
KP16F2800 1400 2800 5STP16F2800
KP24H2800 2625 2800 5STP24H2800
KP27H2800 2670 2800 5STP27H2801
KP33L2800 3740 2800 5STP33L2800
KP45Q2800 5490 2800 5STP45Q2800
KP04D4200 470 4200 5STP04D4200
KP12F4200 1150 4200 5STP12F4200
KP18H4200 2075 4200 5STP18H4200
KP28L4200 3170 4200 5STP28L4200
KP38Q4200 4275 4200 5STP38Q4200
KP04D5200 440 5200 5STP04D5200
KP17H5200 1975 5200 5STP17H5200
KP25L5200 2760 5200 5STP25L5200
KP34Q5200 3875 5200 5STP34Q5200
KP34N5200 3600 5200 5STP34N5200
KP03D6500 380 6500 5STP03D6500
KP03X6500 350 6500 5STP03X6500
KP08G6500 720 6500 5STP08G6500
KP12K6500 1370 6500 5STP12K6500
KP18M6500 1800 6500 5STP18M6500
KP26N6500 2810 6500 5STP26N6500
KP42U6500 4250 6500 5STP42U6500