BSC070N10NS5SCATMA1，英飞凌场效应管供货

汽车 N 沟道 MOSFET
凭借采用多种封装的汽车 N 沟道 MOSFET 产品组合，我们的 MOSFET 可提供的设计灵活性并满足广泛的需求。从 3mm x 3mm 开始，到 10mm x 15mm 的尺寸，您可以找到满足您应用需求的 MOSFET。
此外，新发布的用于40V电机驱动应用的半桥封装，以及用于高功率密度应用的新顶部冷却10mm x 15mm，完善了满足这些特殊要求的产品组合，分别节省了空间和冷却组件的额外成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPD60R180P7ATMA1
IPD60R1K0CEAUMA1
IPD60R1K4C6ATMA1
IPD60R1K5CEAUMA1
IPD60R280P7ATMA1
IPD60R360P7ATMA1
IPD60R380E6BTMA1
IPD60R380P6ATMA1
IPD60R385CPATMA1
IPD60R3K3C6ATMA1
IPD60R3K4CEAUMA1
IPD60R400CEAUMA1
IPD60R450E6ATMA1
IPD60R600C6ATMA1
IPD60R600E6BTMA1
IPD60R600P7ATMA1
IPD60R650CEAUMA1
IPD60R750E6ATMA1
IPD60R800CEAUMA1
IPD60R950C6ATMA1
原装承诺，合作共赢！

汽车碳化硅 MOSFET
碳化硅 （SiC） MOSFET 为汽车应用提供率和可靠性。英飞凌广泛的汽车碳化硅MOSFET，包括碳化硅CoolSiC™ MOSFET、碳化硅 MOSFET 分立器件和碳化硅冷却碳化硅™ MOSFET 模块.
这些用于汽车行业的 SiC MOSFET 提供佳性能和高的运行可靠性，并在空间和重量类别方面节省成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPC100N04S5L-2R6
IPD040N03LGATMA1
IPD050N10N5ATMA1
IPD090N03LGATMA1
IPD11DP10NMATMA1
IPD135N03LGBTMA1
IPD18DP10LMATMA1
IPD19DP10NMATMA1
IPD25DP06LMATMA1
IPD350N06LGBTMA1
IPD40DP06NMATMA1
IPD42DP15LMATMA1
IPD50R1K4CEAUMA1
IPD50R280CEAUMA1
IPD50R2K0CEAUMA1
IPD50R380CEAUMA1
IPD50R500CEAUMA1
IPD50R520CPATMA1
IPD50R650CEAUMA1
IPD50R800CEAUMA1
原装，诚信合作，欢迎合作！

汽车场效应管应用
在汽车应用中，MOSFET 用于车身电子、动力总成、底盘和安全、汽车安全、电力驱动排水和信息娱乐系统。
英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPB60R125C6ATMA1
IPB60R280C6ATMA1
IPB60R380C6ATMA1
IPB65R099C6ATMA1
IPB65R225C7ATMA2
IPB720P15LMATMA1
IPC022N03L3X1SA1
IPC100N04S5L-1R1
IPC100N04S5L-1R5
IPC100N04S5L-1R9
我们只做原装，每颗芯片经得起检验！

AURIX™ TriCore™ 在单个MCU中集成了一个RISC处理器内核、一个微控制器和一个DSP。基于TriCore™ 的产品在汽车中的应用非常广泛，包括内燃机控制、纯电动和混合动力汽车、变速器控制单元、底盘域、制动系统、电动转向系统、安全气囊、联网和驾驶辅助系统，并推动着自动化，电动化以及网联化的发展。AURIX™ 系列还适用于工业应用领域，在优化电机控制应用和信号处理方面非常具有性。
英飞凌广泛的产品组合使得工程师能根据自己所需的存储器、外设、频率、温度和封装挑选合适的产品。并且，所有这些在不同的产品间都具有很高的兼容性。
英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
BSS127H6327XTSA2
BSS131H6327XTSA1
BSS139H6327XTSA1
BSS169H6906XTSA1
BSS84PH6327XTSA2
BSZ018NE2LSATMA1
BSZ019N03LSATMA1
BSZ025N04LSATMA1
BSZ028N04LSATMA1
BSZ042N06NSATMA1
BSZ065N03LSATMA1
BSZ100N06NSATMA1
BTS132E3129NKSA1
FF2MR12KM1PHOSA1
IAUA120N04S5N014
IAUA180N04S5N012
IAUA200N04S5N010
IAUC100N04S6L020
IAUC100N04S6L025
IAUC100N04S6N015
常用型号大量现货，更多型号请咨询！

静电保护_浪涌电压保护
EiceDRIVER™ 栅极驱动器，用于驱动MOSFETs，IGBTs，碳化硅MOSFET， 以及氮化镓HEMT
每个功率器件都需要一个驱动芯片——合适的驱动芯片让您事半功倍。电力电子应用是基于功率器件技术。而所有功率器件都需要合适的栅极驱动器解决方案。因此，我们提供500多种 EiceDRIVER™ 栅极驱动器，适用于任何功率器件，和任何终端应用。
EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供从0.1 A到10 A的一系列的典型输出电流选项。具有全面的保护功能，包括快速短路保护（DESAT），有源米勒钳位，直通短路保护，故障报告，关断，过流保护。使得这些驱动适用于包括CoolGaN™和 CoolSiC™在内的所有功率器件
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
SPP07N60C3XKSA1
SPP08N50C3XKSA1
SPP08N80C3XKSA1
SPP11N60C3XKSA1
SPP11N80C3XKSA1
SPP15N65C3XKSA1
SPP17N80C3XKSA1
SPP18P06PHXKSA1
SPP20N60S5XKSA1
SPP21N50C3XKSA1
SPP24N60C3XKSA1
SPP80P06PHXKSA1
SPS01N60C3BKMA1
SPS04N60C3AKMA1
SPW11N80C3FKSA1
SPW15N60C3FKSA1
SPW16N50C3FKSA1
SPW17N80C3FKSA1
SPW20N60C3FKSA1
SPW24N60C3FKSA1
英飞凌常用型号常备现货，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IRF150P220AKMA1
采用 TO-150 封装的 247V 单 N 沟道强红外场效应管™功率 MOSFET
功能特性：
极低的RDS（开启）
出色的栅极电荷 x RDS（开启）（FOM）
优化的 Q 值RR
175°C 工作温度
根据JEDEC标准进行产品验证
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优
降低传导损耗
高开关频率的理想选择
更低的过冲电压
与 150°C 额定部件相比，可靠性更高
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
IRF150P220AKMA1
IRF150P220XKMA1
IRF150P221AKMA1
IRF2807ZSTRLPBF
IRF2907ZSTRLPBF
IRF3205ZSTRLPBF
IRF3709ZSTRRPBF
IRF3710ZSTRLPBF
IRF3805STRL-7PP
IRF40SC240ARMA1
IRF6726MTRPBFTR
IRF9530NSTRLPBF
IRF9530NSTRRPBF
IRF9540NSTRLPBF
IRF9540NSTRRPBF
IRF9Z24NSTRLPBF
IRF9Z34NSTRLPBF
IRFI1010NPBF-IR
IRFI7536GPBF-IR
IRFR1010ZTRLPBF
常用型号大量原装现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！