南麟LN709内置延时低功耗电压检测
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更新时间：2024-04-16 11:06:08 信息编号：ce2ql7q30848c9

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价格：
0.30 元
商品产地：
上海
材料物理：
半导体
关键词：
LDO稳压器,DC-DC,MOS管,电源IC

杨阳

18923718305

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详情介绍

南麟LN709内置延时低功耗电压检测

产品别名	电源芯片,驱动芯片,复位芯片,开关芯片	面向地区	广东深圳	商品产地	上海
材料物理性质	半导体	材料晶体结构	单晶	材料	混合物
制作工艺	集成	输出信号	模拟型	质检报告	有

南麟LN709内置延时低功耗电压检测
南麟LN709内置延时低功耗电压检测
南麟LN709内置延时低功耗电压检测
■ 操作注释  CMOS 输出（特别地注意 4 点）
① 当Vin端输入电压释放电压release voltage (VDR)，这个电压将逐步降低。当VIN端输入电压检测电压detect
voltage (VDF)，输出电压与输入电压相等。
注意N管漏开路输出方式中，Vin高时为输出等效高阻，采用上拉电阻，Vout应等于上拉电压。
② 当Vin下降至低于Vdf，Vout应该等于地电压。N管漏开路输出方式也是同样的功能。当Vin低于低工作电压，输出Vout
是不稳定的。N管漏开路输出方式中输出会被逐渐被上拉。
④ Vin从地电位升起（不同于从低工作电压的电位升起），在上升速度足够快的情况下，Vout等于上拉电压，否则将
等于地电位，经过延时后等于上拉电压。
⑤ Vin释放电压后，Vout将保持地电位直至内置延时结束。
⑥ 延时结束后，Vin将等于Vout，注意N管漏开路输出方式中，使用用上拉电阻才能实现此功能。
注意：
1．VDR 与VDF的区别在于VDR为VDF加迟滞电压
2．内置延时(tDLY)表示Vin恢复至超过VDF后，至输出Vout变为Vin的这段时间

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