IAUA180N10S5N029AUMA1，英飞凌MOS原装

汽车碳化硅 MOSFET
碳化硅 （SiC） MOSFET 为汽车应用提供率和可靠性。英飞凌广泛的汽车碳化硅MOSFET，包括碳化硅CoolSiC™ MOSFET、碳化硅 MOSFET 分立器件和碳化硅冷却碳化硅™ MOSFET 模块.
这些用于汽车行业的 SiC MOSFET 提供佳性能和高的运行可靠性，并在空间和重量类别方面节省成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPC100N04S5L-2R6
IPD040N03LGATMA1
IPD050N10N5ATMA1
IPD090N03LGATMA1
IPD11DP10NMATMA1
IPD135N03LGBTMA1
IPD18DP10LMATMA1
IPD19DP10NMATMA1
IPD25DP06LMATMA1
IPD350N06LGBTMA1
IPD40DP06NMATMA1
IPD42DP15LMATMA1
IPD50R1K4CEAUMA1
IPD50R280CEAUMA1
IPD50R2K0CEAUMA1
IPD50R380CEAUMA1
IPD50R500CEAUMA1
IPD50R520CPATMA1
IPD50R650CEAUMA1
IPD50R800CEAUMA1
原装，诚信合作，欢迎合作！

汽车场效应管应用
在汽车应用中，MOSFET 用于车身电子、动力总成、底盘和安全、汽车安全、电力驱动排水和信息娱乐系统。
英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPB60R125C6ATMA1
IPB60R280C6ATMA1
IPB60R380C6ATMA1
IPB65R099C6ATMA1
IPB65R225C7ATMA2
IPB720P15LMATMA1
IPC022N03L3X1SA1
IPC100N04S5L-1R1
IPC100N04S5L-1R5
IPC100N04S5L-1R9
我们只做原装，每颗芯片经得起检验！

12V-40V N 沟道 MOSFET 产品组合
英飞凌的功率MOSFET 12 V-40 V产品组合分为两类。类是“主动和”，指的是提供同类佳性能和低R的新可用技术DS（开启）.第二类是“有源”，非常适合宽开关频率，并提供业界佳的品质因数（FOM）以及率和功率密度。广泛的产品组合OptiMOS™和StrongIRFET™为广泛的需求提供解决方案。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPA80R600P7XKSA1
IPA80R650CEXKSA2
IPA80R900P7XKSA1
IPA90R1K2C3XKSA2
IPA90R340C3XKSA2
IPA95R450P7XKSA1
IPB011N04LGATMA1
IPB011N04NGATMA1
IPB015N04LGATMA1
IPB015N04NGATMA1
IPB015N08N5ATMA1
IPB017N10N5ATMA1
IPB019N08N5ATMA1
IPB020N04NGATMA1
IPB020N08N5ATMA1
IPB020N10N5ATMA1
IPB024N08N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1
IPB031N08N5ATMA1
IPB034N03LGATMA1
更多型号请联系，网站内手机，期待你的合作！

IGBT-绝缘栅双极晶体管
不同电压和电流等级的 IGBT 分立器件、压接式器件、功率模块以及组件解决方案。
我们的 IGBT 产品系列包括多款不同器件。这些产品广泛应用于汽车、牵引、能源传输、工业和消费系统领域。我们的解决方案在正向和阻断状态下功耗非常低，仅需低驱动功率便可发挥率。这些 IGBT 产品可承受高达 6.5 kV 的电压，并可在 2 kHz 至 50 kHz 的开关频率下工作。
借助广泛的技术组合优势，面向工业和功率控制应用的 IGBT ,具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力，功耗极低。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IAUT240N08S5N019
IAUT260N10S5N019
IAUT300N08S5N012
IAUT300N08S5N014
IAUT300N10S5N015
IGT40R070D1E8220
IGT60R070D1ATMA4
IPA083N10N5XKSA1
IPA50R140CPXKSA1
IPA50R199CPXKSA1
IPA50R250CPXKSA1
IPA50R280CEXKSA2
IPA50R350CPXKSA1
IPA50R380CEXKSA2
IPA50R500CEXKSA2
IPA50R520CPXKSA1
IPA50R650CEZKSA2
IPA50R800CEXKSA2
IPA50R950CEXKSA2
IPA60R080P7XKSA1
芯片提供商，每一片都是原装，让您用的放心，助力贵公司发展！

IRL1404ZSTRLPBF
40V 单 N 沟道六通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 D2Pak 封装
优点：
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优化
符合JEDEC标准的产品认证
逻辑电平：针对 10 V 栅极驱动电压进行了优化，能够支持 4.5 V 栅极驱动电压
行业标准表面贴装电源封装
高载流能力封装（高达 195 A，取决于芯片尺寸）
可进行波峰焊
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IRL1404ZSTRLPBF
IRL2203NPBF-INF
IRL2203NSTRLPBF
IRL3705NSTRLPBF
IRL3705ZSTRLPBF
IRL60SC216ARMA1
IRLML2402GTRPBF
IRLML6402GTRPBF
IRLR2905ZTRLPBF
IRLR3110ZTRLPBF
IRLR3110ZTRRPBF
IRLR3410PBF-INF
IRLU8729-701PBF
ISC0602NLSATMA1
ISC0603NLSATMA1
ISC0702NLSATMA1
ISC0703NLSATMA1
ISC0802NLSATMA1
ISC0803NLSATMA1
ISC0804NLSATMA1
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IRFR13N15DTRPBF产品特性：
采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 沟道六通道六角形场效应管功率 MOSFET
符合 RoHS 标准
低导通电阻
行业的质量
动态 dv/dt 额定值
快速切换
完全雪崩额定
175°C 工作温度
LSI后缀中的I表示OptiMOS™的附加功能，即英飞凌超级势垒二极管（单片集成肖特基二极
管）。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IRFR13N15DTRPBF
IRFR13N20DTRPBF
IRFR15N20DTRPBF
IRFR18N15DTRPBF
IRFR2307ZTRLPBF
IRFR24N15DTRPBF
IRFR3709ZTRLPBF
IRFR3710ZTRLPBF
IRFR7746PBF-INF
IRFR9024NTRLPBF
IRFR9120NTRLPBF
IRFR9N20DTRLPBF
IRFS3207ZTRRPBF
IRFS3307ZTRLPBF
IRFS3307ZTRRPBF
IRFS4310ZTRLPBF
IRFS4410PBF-INF
IRFS4410ZTRLPBF
IRFU3607TRL701P
IRFU4105ZPBF-IR
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！