TS3A5018PWR，TI原装集成电路

TPA5052RSAR
具有硬件控制的立体声数字音频延迟处理器
TPA5052 的特性
Digital Audio Format: 16–24–bit I2S
Single Serial Input Port
Delay Time: 170 ms/ch at fs = 48 kHz
Delay Resolution: 256 samples
Delay Memory Cleared on Power–Up or After Delay Changes
Eliminates Erroneous Data From Being Output
TI德州仪器其他部分型号：
TPS79318DBVRG4Q1 TPS6285020MQDRLRQ1
SN74HCT165QPWRQ1 OPA4171AQPWRQ1
CDCE813QPWRQ1 LM3481QMMX/NOPB
LMK61A2-100M00SIAR TPS72501DCQ
TLV9154QPWRQ1 TPS78410QWDRBRQ1
OPA1642AIDGKT SN6507DGQR
TS3A225ERTER INA213BIDCKT
DRV5032DUDMRT LM4040C30QDBZR
INA250A4PW TLV2170IDR
ISO15MDW UCC27211DR

TAS5548DCAR
具有集成 ASRC 和音频处理器的 96KHz PWM 调制器
音频输入或输出
多达 5 个同步串行音频输入（10 个通道）
多达 1 个同步串行音频输出（2 个通道）
当与外部晶振一起使用时的 I2S 主控模式
具有自动/手工采样速率检测的受控模式 32-192kHz
8 个可支持 AD 或 BD 调制的差分 PWM 输出
两个差分 PWM 头戴式耳机输出
针对外部无线子
PWM 输出的 I2S 支持单端 (S.E.) 或桥接负载 (BTL)
TPS54361QDPRRQ1
正在供货
具有软启动功能的 4.5V 至 60V 输入、3.5A、降压直流/直流转换器
TPS54361-Q1 的说明
TPS54361-Q1 器件是一款 60V，3.5A，降压稳压器，此稳压器具有一个集成的高侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。按照 ISO 7637 标准，此器件能够耐受的抛负载脉冲高达 65V。电流模式控制提供了简单的外部补偿和灵活的组件选择。低纹波脉冲跳跃模式和 152µA 的电源电流可在轻负载时实现率。当使能引脚被拉至低电平时，关断电源电流被减少至 2µA。

TI德州仪器音频 IC
TAS5558DCAR
具有 SRC 和 PWM 输出的 8 通道高清兼容音频处理器
TAS5558 的特性
一般特性
8 通道异步采样率转换器
针对 32-192kHz（ARSC 至 96kHz）的 8 通道音频处理
频率为 192kHZ 的 4 通道本地音频处理
用于实现 DTS-HD 兼容性的 30kHz 音频带宽
用于总体系统功率控制的能量管理器
电源音量控制
TAS5558 的说明
TAS5558 是一款具有数字音频处理功能和采样率转换器的 8 通道数字脉宽调制器 (PWM)，具备的性能和较高的系统集成度。 TAS5558被设计用于支持 DTS-HD 规格蓝光 HTiB 应用。 ASRC 包含两个立的模块，每个模块可处理 4 个通道。 因此，它能够支持多达两个不同的输入采样率。

CC2640F128RGZR蓝牙微控制器MCU
具有 128kB 闪存的 SimpleLink™ 32 位 Arm Cortex-M3 低功耗 Bluetooth® 无线 MCU
CC2640 的特性
强大的 ARM Cortex-M3
EEMBC CoreMark评分：142
高达 48MHz 的时钟速度
128KB 系统内可编程闪存
ROM 中的 TI-RTOS 和 蓝牙软件
高达 28KB 系统 SRAM，其中 20KB 为低泄漏静态随机存取存储器 (SRAM)
8KB SRAM，适用于缓存或系统 RAM 使用
2 引脚 cJTAG 和 JTAG 调试
支持无线升级 (OTA)
TI德州仪器其他部分蓝牙产品型号：
CC2640F128RGZR CC2640F128RHBR
CC2650F128RHBR CC2650F128RGZR
CC2650F128RSMR CC2630F128RGZR
CC2652R1FRGZR CC2640R2FRSMR
CC2650F128RHBT CC2630F128RHBR
CC2640R2FYFVT CC2640F128RSMR
CC2640R2FRGZR CC2640R2LRGZR
CC2630F128RGZT CC2640R2FTRGZRQ1

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TPS610987DSER
具有集成 LDO 和 VSUB 有源放电功能的 4.3V 输出电压同步升压转换器
TPS610987 的特性
低功耗模式下具有 300nA 低 IQ
启动至负载（输入电压为 0.7V）
工作输入电压范围为 0.7V 至 4.5V
可选输出电压高达 4.3V
小 350mA 开关峰值电流限制
集成 LDO/负载开关
由 MODE 引脚控制的两种模式
工作模式：两路输出均处于设定值
低功耗模式：LDO/负载开关关闭；升压转换器继续运行