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INFINEON/英飞凌芯片系列 |
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英飞凌提供广泛的汽车P沟道功率MOSFET产品组合，采用引线封装，采用OptiMOS™ -P2和Gen5技术。
我们的汽车 P 沟道 MOSFET 产品组合提供 30V、40V、55V 和 150V 产品，具有低的 RDS（开启）在 40 V 和高电流能力
汽车 N 沟道 MOSFET
凭借采用多种封装的汽车 N 沟道 MOSFET 产品组合，我们的 MOSFET 可提供的设计灵活性并满足广泛的需求。从 3mm x 3mm 开始，到 10mm x 15mm 的尺寸，您可以找到满足您应用需求的 MOSFET。
此外，新发布的用于40V电机驱动应用的半桥封装，以及用于高功率密度应用的新顶部冷却10mm x 15mm，完善了满足这些特殊要求的产品组合，分别节省了空间和冷却组件的额外成本。
汽车应用
英飞凌提供多种 P 沟道功率 MOSFET 产品，专为汽车申请，符合 AEC 标准。
P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子，其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面，主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压（V一般事务人员） 导通（与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压）。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术，通常可降低总体成本。
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