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BSM200GB60DLC英飞凌IGBT功率模块BSM100GB60DLCBSM150GB60DLC

更新时间：2020-05-26 16:54:01 信息编号：d92b1ho38218ef
BSM200GB60DLC英飞凌IGBT功率模块BSM100GB60DLCBSM150GB60DLC
￥6651000-1999件
￥660≥ 2000件

  • 665.00 元

  • 北京

  • 半导体

  • BSM200GB60DLC,IGBT功率模块,BSM100GB60DLC,BSM150GB60DLC

王春

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产品别名
BSM200GB60DLC,英飞凌IGBT功率模块,BSM100GB60DLC,BSM150GB60DLC
面向地区
全国
商品产地
北京
材料物理性质
半导体
材料晶体结构
多晶
材料
聚合物
制作工艺
集成
输出信号
模拟型
质检报告
有

BSM200GB60DLC英飞凌IGBT功率模块BSM100GB60DLCBSM150GB60DLC

产品详细说明
描述 IGBT 模块 600V 200A DUAL
RoHS
• 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
• 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
• 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
• 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明：IGBT Modules 600V 200A DUAL
制造商 Infineon
产品种类 IGBT 模块
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Dual
集电极—发射电压 VCEO 600 V
集电极—射极饱和电压 1.95 V
在25 C的连续集电极电流 230 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
功率耗散 445 W
大工作温度 + 125 C
封装 / 箱体 34MM
栅极/发射电压 +/- 20 V
小工作温度 - 40 C
安装风格 Screw
工厂包装数量 500
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