产品别名 |
MOS管,电源管理芯片 |
面向地区 |
全国 |
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；别名 ： positive MOS。
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。
与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：
VGS|VGS|>|VTP (PMOS)|，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。
反向保护电路中用到PMOS，不用使用二极管是压降更小耗散无用功更少。别看有一个寄生正向二极管，但它完全没有用处。在电路正常通电时，GATE接在远低于D端的0电位上，此PMOS是完全导通的。反接电源时GATE的电位又远S端，PMOS完全截止。
公司拥有一支由院校毕业的博士及具有多年集成电路与系统设计经验的高素质工程师组成的设计团队,凭借着多年的设计经验,开发了一系列的低功耗,高耐压的电源IC、 1-4节锂电池充电IC，复合型锂电池保护IC，升降压DC/DC,稳压IC,电压检测IC,MOSFET等产品，并提供特殊定制服务，能在短时间内开发出满足用户需要的产品。
电源管理芯片的应用范围十分广泛，发展电源管理芯片对于提高整机性能具有重要意义，对电源管理芯片的选择与系统的需求直接相关，而数字电源管理芯片的发展还需跨越成本难关。
当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
现代电子系统正在向高速、高增益、高可靠性方向发展，电源上的微小干扰都对电子设备的性能有影响，这就需要在噪声、纹波等方面有优势的电源，需要对系统电源进行稳压、滤波等处理，这就需要用到线性电源。
上述不同的电源管理方式，可以通过相应的电源芯片，结合极少的外围元件，就能够实现。可见，发展电源管理芯片是提高整机性能的的手段。
电子设备所具备的功能越多、性能越高，其结构、技术、系统就越复杂，传统的模拟技术电源管理IC满足系统整体电源管理要求的难度也就越大，价格也更加昂贵。数字控制器的核心主要由三个特殊模块组成：抗混叠(anti-aliasing)滤波器、模数转换器(ADC)和数字脉冲宽度调制器(DPWM)。
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