有源器件记忆存储芯片W78ERD2A40FL,WINBOND/华邦内存.. 免费发布记忆存储芯片信息

W78ERD2A40FL,WINBOND/华邦内存闪存芯片

更新时间:2024-07-01 04:55:16 编号:e02u8vceo7f8a7
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周玉军

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WINBOND/华邦存储IC
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W78ERD2A40FL,WINBOND/华邦内存闪存芯片

主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系。
W25Q128JVEIQ128M 位串行闪存,具有统一的 4KB 扇区和双/四通道 SPI
一般说明 W25Q128JV(128M 位)串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。它们非常适合将代码影子复制到 RAM,直接从双/四通道 SPI (XIP) 执行代码并存储语音、文本和数据。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电,关断时电流消耗低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q128FWSIG W25Q128JVFIQ
W25Q128FWSIQ W25Q128JVPIQ
W25Q128FWSQ W25Q128JVSAQ
W25Q128FWXR W25Q128JVSIM
W25Q128FWYIC W25Q128JVSIMTR
W25Q128JVBIQ W25Q128JVSIQ
W25Q128JVCIM W25Q128JVSIQTR
W25Q128JVEIQ W25Q128JVSQ
W25Q128JVEQ W25Q128JVSSIQ
W25Q128JVFIM W25Q128JWEIQ
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多信息咨询我们的销售人员。

W25Q32JV系列:
W25Q32JVSSIQ
W25Q32JVZPIQ
W25Q32JVTCIQ
W25Q32JVZEIQ
W25Q32JVSSIM
W25Q32JVSSAQ
W25Q32JVZEIQ
产品特性:
具有 4KB 扇区的灵活架构 – 统一扇区/块擦除(4K/32K/64K 字节) – 每个可编程页编程 1 至 256 字节 – 擦除/程序暂停和恢复  安全功能 – 软件和硬件写保护 – 特殊 OTP 保护(2) – 顶部/底部,补码阵列保护 – 单个块/扇区阵列保护 – 每个设备的 64 位 ID – 可发现参数 (SFDP) 寄存器 – 3X256 字节安全寄存器 – 易失性和非易失性状态 寄存器位  节省空间的封装 – 8 引脚 SOIC/VSOP 150/208 密耳 – 16 针 SOIC 300 密耳 – 8 焊盘 WSON 6x5 毫米/8x6 毫米 – 8 焊盘 USON 4x3 毫米 – 8 焊盘 XSON 4x4 毫米 – 24 引脚 TFBGA 8x6 毫米(6x4/5x5 球阵列)
主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系

W958D6DBC:这是一个256M位CellularRAM™兼容产品,组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
PSRAM(虚拟静态随机存取记忆体)是由一个DRAM主体核心与传统SRAM介面所组成。晶片上的刷新电路,可省略使用者需要记忆体刷新的考量。相对于传统的CMOS SRAM,PSRAM具有更高容量,高速度,更小的晶片尺寸,以及与DRAM相容的优势
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q64DWSS1G W25Q64FVSSBQ
W25Q64DWSTIM W25Q64FVSSIG
W25Q64DWZPIG W25Q64FVSSIQ
W25Q64FVAIQ W25Q64FVSTIM
W25Q64FVBYIF W25Q64FVTCIP
W25Q64FVFIG W25Q64FVZEIG
W25Q64FVSFIG W25Q64FVZPIG
W25Q64FVSIG W25Q64FWBYIG
W25Q64FVSIQ W25Q64FWIG
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  • 2018-12-27
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  • IC集成电路
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