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由于激光在聚焦上的优点,聚焦点可小到亚微米数量级,从而对晶圆的微处理更具有优势,可以进行小部件的加工。即使在不高的脉冲能量水平下,也能得到较高的能量密度,有效进行材料加工。激光划片属于非接触式加工,可以避免出现芯片破碎和其它损坏现象。
加工优势:
1、划片速度快,,成片率高,切割速度150mm/s
2、非接触式加工,无机械应力,适合切脆性易碎晶圆
3、CCD快速定位功能,实现同轴监视或旁轴监视功能
4、二维直线运动平台,高精密DD旋转平台,大理石基石,稳定可靠,热变形小
5、操控系统,全中文操作界面,操作直观、简易、界面良好
6、无需砂轮刀、蓝膜、去离子水等耗材,高可靠性和稳定性,划片质量高,玻璃钝化层无崩裂和微裂纹。
在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度,要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时的一个常见的推荐是,选择尽可能薄的刀片。可是,很薄的刀片(20µm)是非常脆弱的,更容易过早破裂和磨损。结果,其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于50~76µm迹道的刀片推荐厚度应该是20~30µm。
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆,在半导体芯片的制作过程中,在晶圆表面形成多个芯片区域后,需要先在间隔处划出隔道而后再将一整块晶圆裂片成多个单的芯片。
硅是由石英砂所精练出来的,晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%),接着是将这些纯硅制成硅晶棒,成为制造集成电路的石英半导体的材料,经过照相制版,研磨,抛光,切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
晶圆测试是对晶片上的每个晶粒进行针测,在检测头装上以金线制成细如毛发之探针,与晶粒上的接点接触,测试其电气特性,不合格的晶粒会被标上记号,而后当晶片依晶粒为单位切割成立的晶粒时,标有记号的不合格晶粒会被淘汰,不再进行下一个制程,以免徒增制造成本。
苏州硕世微电子有限公司成立于2013年,是一家立志于服务中国泛半导体行业“半导体、LED、液晶面板、光伏”等的供应制造商,主要产品包括Wafer Aligner 晶圆寻边器、Wafer Transfer 晶圆转换器、Wafer Cassette 晶圆载具、Machined parts 机加工零件、Fitting Assembly 装配总成等产品。我们一贯秉承诚实、守信的原则,为广大客户提供,放心的产品及服务。
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