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SCTL90N65G2V,ST场效应管原装供货

更新时间:2024-06-22 04:28:13 编号:e332suftg7d826
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周玉军

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ST意法场效应管MOSFET原装系列
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SCTL90N65G2V,ST场效应管原装供货

主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G071KBU6功能描述:
主流Arm Cortex-M0+ MCU,具有128 KB Flash存储器、36 KB RAM、64 MHz CPU、4x USART、定时器、ADC、DAC和通信接口,1.7-3.6V
ST意法MOSFET场效应管型号(部分):
STFU10N80K5
STFU10NK60Z
STFU13N65M2
STFU15N80K5
STFU16N65M2
STFU23N80K5
STFW1N105K3
STFW2N105K5
STFW3N170
STFW45N65M5
STFW8N120K5
STH10N80K5-2AG
STH12N120K5-2
STH15810-2
STH30N65DM6-7AGST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,以信用为基石,诚意合作。

主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32L151RCT6功能描述:
低功耗的STM32L151xC和STM32L152xC器件集成了通用串行总线(USB)与ARM的连接能力®皮质®-M3 32位RISC内核,工作频率为32 MHz (33.3 DMIPS),内存保护单元(MPU),高速嵌入式存储器(闪存高达256千字节,RAM高达32千字节),以及连接到两条APB总线的大量增强I/o和外设。
STM32L151xC和STM32L152xC器件提供两个运算放大器、一个12位ADC、两个DAC、两个低功耗比较器、一个通用32位定时器、六个通用16位定时器和两个基本定时器,可用作时基。
此外,STM32L151xC和STM32L152xC器件包含标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个I2S、三个USARTs和一个USB。STM32L151xC和STM32L152xC器件提供多达23个容性检测通道,可为任何应用添加触摸检测功能。
封装:LQFP-64
包装:tape and reel
ST意法MOSFET场效应管型号(部分):
STF4N62K3
STF5N52K3
STF5N60M2
STF5N80K5
STF5N95K3
STF5N95K5
STF5NK100Z
STF6N60M2
STF7LN80K5
STF7N105K5
STF7N60DM2
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,以信用为基石,诚意合作。

SCTW35N65G2VAG
汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),采用HiP247封装
这款碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体创新的2德·一代碳化硅MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STB30N65DM6AG
STB30N65M2AG
STB30N80K5
STB30NF10T4
STB30NF20
STB31N65M5
STB32NM50N
STB33N60DM6
STB33N60M6
STB34N65M5
STB36NM60N
STB36NM60ND
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,我们只做原装,欢迎合作!

STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET,D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
所有功能:
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数(FoM)
极低的栅极电荷
经过100%雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STB6N60M2
STB6NK60ZT4
STB6NK90ZT4
STB75NF20
STB75NF75LT4
STB75NF75T4
STB80NF10T4
STB80NF55L-08-1
STB8NM60T4
STB9NK50ZT4
STD100N10F7
STD100N3LF3
STD10LN80K5
ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

STB47N50DM6AG
汽车级N沟道500 V、61 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET,D2PAK封装
符合 AEC-Q101 标准
快速恢复体二极管
较低的RDS(开启)单位面积与上一代相比
低栅极电荷、输入电容和电阻
雪崩测试
的 dv/dt 性
齐纳保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STD12NF06LT4
STD13N60DM2
STD13N60M2
STD13N60M6
STD13NM60N
STD13NM60ND
STD140N6F7
STD15N50M2AG
STD15N60DM6
STD15NF10T4
STD15P6F6AG
STD16N50M2
STD16N60M6
STD16N65M2
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STE40NC60
N沟道600V 0.098 Ohm 40A ISOTOP POWERMESH II MOSFET
The PowerMESH™二是代网格覆盖的演变™.引入的布局改进地改善了 Ron* 面积品质因数,同时使器件在速度、栅极电荷和性方面保持。
所有功能:
典型 RDS(打开)= 0.098 Ω
雪崩测试
的DV/dt能力
栅极电荷小化
新的高压基准
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STD5N20LT4
STD5N52K3
STD5N52U
STD5N60DM2
STD5N60M2
STD5N95K3
STD5N95K5
STD5NK40Z-1
STD5NK40ZT4
STD5NK50ZT4
STD5NK60ZT4
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公司介绍

深圳市鑫富立科技有限公司成立于年轻而富有活力的科技城市——深圳。公司拥有的销售团队和的服务团队,丰富的产品线。我们坚持为每一位客户提供好的产品,完善的解决方案,的服务。立足深圳,面向,公司致力于打造成为具有影响力的综合性元器件提供商。
我们与国内外众多厂商建立了稳固的合作关系,拥有丰富的产品线。代理分销产品有:MCU单片机、存储芯片、逻辑芯片、电源管理、数据转换、触摸芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频器件、音频功放、驱动芯片、接口芯片、蓝牙芯片、监控芯片、定位芯片、WIFI芯片、汽车芯片、光耦合器等。我们的产品广泛应用于汽车、通讯、安防、手机、平板、穿戴、智能家居、车载、蓝牙、GPS、IoT、医疗、家电、玩具、工控等。
“诚信为本,品质;共创价值,合作共赢“是我们不变的宗旨。我们始终如一地为客户提供的服务,为客户创造更大的价值。
经过近十年的发展壮大,公司现已有几十个品牌上万种各种型号规格的产品。我们代理分销的品牌有:ST、GD、TI、MPS、INFINEON、MICROCHIP、WINBOND、MXIC、BOYAMICRO、NXP、REALTEK、HISILICON、MITSUBISH、NORDIC、EPSON、SEIKO,NDK、KDS、TXC、MURATA、EPCOS、AWINIC、SGMICRO、BELLING、AOS、Silicon、WILLSEMI、INPAQ、WISOL、EPCOS、TAIYO、WALSIN、HD、ACX、MAXIM、MAXSCEND、RDA、JRC、EPTICORE、CHIPHOMER、MIRAMEMS、QST、BOSCH、MEMSIC、INVENSENSE、MCUBE、VANCHIP、RICHTEK、U-BLOX等等。
公司产品品类涵盖了:单片机MCU、存储IC、逻辑IC、晶振、滤波器、双工器、PA功放、音频功放、电源IC、充电IC、fc前法拉电容、GPS低噪放大器、地磁传感器、重力传感器、距离传感器、陀螺仪、气压传感器、心率传感器、光感、定位IC、LED驱动、呼吸灯、模拟开关、二三极管、MOS、TVS、电感、磁珠、共模滤波器等等。
随着公司的发展,新的品牌和产品在不断地增加更新中。我们期待与您的合作!

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