LP2985-33DBVR，TI原装集成电路

TPA5052RSAR
具有硬件控制的立体声数字音频延迟处理器
TPA5052 的特性
Digital Audio Format: 16–24–bit I2S
Single Serial Input Port
Delay Time: 170 ms/ch at fs = 48 kHz
Delay Resolution: 256 samples
Delay Memory Cleared on Power–Up or After Delay Changes
Eliminates Erroneous Data From Being Output
TI德州仪器其他部分型号：
TPS79318DBVRG4Q1 TPS6285020MQDRLRQ1
SN74HCT165QPWRQ1 OPA4171AQPWRQ1
CDCE813QPWRQ1 LM3481QMMX/NOPB
LMK61A2-100M00SIAR TPS72501DCQ
TLV9154QPWRQ1 TPS78410QWDRBRQ1
OPA1642AIDGKT SN6507DGQR
TS3A225ERTER INA213BIDCKT
DRV5032DUDMRT LM4040C30QDBZR
INA250A4PW TLV2170IDR
ISO15MDW UCC27211DR

TAS5548DCAR
具有集成 ASRC 和音频处理器的 96KHz PWM 调制器
音频输入或输出
多达 5 个同步串行音频输入（10 个通道）
多达 1 个同步串行音频输出（2 个通道）
当与外部晶振一起使用时的 I2S 主控模式
具有自动/手工采样速率检测的受控模式 32-192kHz
8 个可支持 AD 或 BD 调制的差分 PWM 输出
两个差分 PWM 头戴式耳机输出
针对外部无线子
PWM 输出的 I2S 支持单端 (S.E.) 或桥接负载 (BTL)
TPS54361QDPRRQ1
正在供货
具有软启动功能的 4.5V 至 60V 输入、3.5A、降压直流/直流转换器
TPS54361-Q1 的说明
TPS54361-Q1 器件是一款 60V，3.5A，降压稳压器，此稳压器具有一个集成的高侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。按照 ISO 7637 标准，此器件能够耐受的抛负载脉冲高达 65V。电流模式控制提供了简单的外部补偿和灵活的组件选择。低纹波脉冲跳跃模式和 152µA 的电源电流可在轻负载时实现率。当使能引脚被拉至低电平时，关断电源电流被减少至 2µA。

TI德州仪器逻辑 IC产品分类：
总线终端阵列
数字算术 IC
数字多路信号分离器和解码器
数字多路复用器和编码器
数字计时 IC
FIFO 内存 IC
单稳多谐振荡器（单稳态）
可编程逻辑电路
应用（包括汽车、工业和个人电子产品）
部分罗辑IC型号:
SN74HC541N SN74HC42DR
SN74HC540PWR SN74HC595PWR
SN74HC21QPWRQ1 SN74HC08DR
SN74HC126PWR SN74HCS14BQAR
SN74HCS14DR SN74HC4060PWR
SN74HCT373N SN74HC4851QDRQ1
SN74HC02DBR SN74HC04N
SN74HC27N SN74HCT244NSR
SN74HCT00D SN74HC563DWR
SN74HC14PWR SN74HC595N
SN74HC595DR SN74HC595DBR
SN74HC125DR SN74HC14QDRQ1
SN74HC273NSR SN74HC4851PWR
SN74HC244NSR SN74HC157DR
SN74HC373NSR SN74HC126PWT

部分产品特性：
SN74HCT541DWR
具有 TTL 兼容型 CMOS 输入和三态输出的 8 通道、4.5V 至 5.5V 缓冲器
SN74HCT08DR
具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的 4 通道、2 输入、4.5V 至 5.5V 与门

TI德州仪器MOSFET常用型号大量现货，详情请咨询。
CSD17556Q5B
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17556Q5B 的特性：
极低电阻
低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩级
无铅引脚镀层
符合 RoHS 标准
无卤素
SON 5mm × 6mm 塑料封装
以下MOSFET部分型号：
CSD93501-Q1 CSD88599Q5DC
CSD95420RCB CSD87313DMS
CSD95410RRB CSD18510Q5B
CSD96497Q5MC CSD18510KCS
CSD95485RWJ CSD95482RWJ
CSD86356Q5D CSD18512Q5B
CSD86336Q3D CSD18543Q3A
CSD25501F3 CSD95495QVM
CSD18511KCS CSD18510KTT
CSD18511KTT CSD18511Q5A
CSD87503Q3E CSD18513Q5A
CSD17318Q2 CSD18514Q5A
CSD22205L CSD95490Q5MC
CSD22206W CSD95491Q5MC
CSD88584Q5DC CSD13380F3
CSD17585F5 CSD13385F5

TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TPS610987DSER
具有集成 LDO 和 VSUB 有源放电功能的 4.3V 输出电压同步升压转换器
TPS610987 的特性
低功耗模式下具有 300nA 低 IQ
启动至负载（输入电压为 0.7V）
工作输入电压范围为 0.7V 至 4.5V
可选输出电压高达 4.3V
小 350mA 开关峰值电流限制
集成 LDO/负载开关
由 MODE 引脚控制的两种模式
工作模式：两路输出均处于设定值
低功耗模式：LDO/负载开关关闭；升压转换器继续运行