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苏州创芯奇半导体有限公司

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正式商用的IGBT器件的 电压 和电流容量还很有限 ，远远 高压应用。国外的一些厂家如 ABB公 司采用软 穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的650 0 V/600A高压 大功率IGBT 器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与 此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电 流、高速、低饱和 压降、高 可靠 性、低成本技术， 主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国自主研发的高压大功率 3300V/50A IGBT（绝 缘栅双极型晶体管）芯片及由此芯片 封装的大功率 1200A/3300V IGB T模块通过鉴定，中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。





企业主要销售品牌

包括:英飞凌、欧派克、日本三社、IXYS艾赛斯、西门康、富

士、三菱、仙童、新电源、东芝、IR、摩托罗拉、西门子、英达、三

肯、三洋、APT、ST ABB、西码、CDE等国外公司生产的IGBT

可控硅、晶闸管、GTR、IMP、PIM、快恢复二极管、整流桥、电解电容、

驱动电路、MOSFET 日本TOCOS电位器、美国BOURNS电位器、

日本光洋旋转编码器等 。

本公司坚持以‘诚信为本、质量、价格合理’的经营理念

期待与贵公司的合作，一步一个脚印，做大做强，再创辉煌！





(产品全新原装，如若发现有误 三天内可退换)








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西码中压晶闸管(可控硅)

K0349LC600 P201CH60

K2960TC450 K0349LC650