STF9NK90Z，ST意法场效应管

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、音频功放、驱动芯片、监控芯片。 STM32F407ZGT6特性： STM32F405xx和STM32F407xx系列基于Arm®皮质®-M4 32位RISC内核，工作频率高达168 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有Arm单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个存储器保护单元(MPU ),增强了应用的安全性。 STM32F405xx和STM32F407xx系列集成了高速嵌入式存储器(高达1兆字节的闪存，高达192千字节的SRAM)，高达4千字节的备份SRAM，以及连接到两条APB总线、三条AHB总线和一个32位多AHB总线矩阵的大量增强I/o和外设。 所有器件都提供三个12位ADC、两个DAC、一个低功耗RTC、12个通用16位定时器，包括两个用于电机控制的PWM定时器和两个通用32位定时器。一个真正的随机数发生器(RNG)。它们还具有标准和通信接口。 ST意法部分型号： STM32F373CCT6 STM32F446RET6 STM32F407ZGT6 如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 STM32F030K6T6特性： 核心:Arm®32位皮层®-M0 CPU，频率高达48 MHz 记忆 16到256千字节的闪存 带硬件奇偶校验的4至32千字节SRAM CRC计算单元 复位和电源管理 数字和I/o电源:V直接伤害= 2.4 V至3.6 V 模拟电源:V数字微分分析器= V直接伤害至3.6 V 上电/关断复位(POR/PDR) 低功耗模式:睡眠、停止、待机 时钟管理 4至32 MHz晶体振荡器 用于带校准的RTC的32 kHz振荡器 内置8 MHz RC，带x6 PLL选项 内部40 kHz RC振荡器 ST部分型号： STM32F412ZET6 STM32F302R8T6 ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 STM32F103VGT7产品特性： 调试方式 串行线调试(SWD)和JTAG接口 皮质®-M3嵌入式Trace宏单元 多达112个快速I/O端口 51/80/112 I/o，全部可映射到16个外部中断向量，几乎全部支持5 V 多达17个定时器 多10个16位定时器，每个定时器多4个IC/OC/PWM或脉冲计数器和正交(增量)编码器输入 2 × 16位电机控制PWM定时器，具有死区产生和紧急停止功能 2 ×看门狗定时器(立和窗口) SysTick定时器:一个24位递减计数器 驱动DAC的2 × 16位基本定时器 ST其他型号： STM32L152V8T6A STM32L412RBT6 STM32F103VGT7 STM32F105RCT6 STM32F302C8T6 STM32F042K6T6 STM32F072CBT6 STM32F103CBT7 STM32F302VET6 STR710FZ2T6 STM8AF6223PCAX STM8AF6226TAY STM8AF528ATCY STM8AF6286TCY STM32H743ZGT6 ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片。 TDA7562B特性描述： TDA7562B是一款采用新型BCD技术的四桥汽车收音机放大器，采用Flexiwatt27封装，用于汽车收音机应用。 得益于DMOS输出级，TDA7562B失真极低，声音清晰有力。 该设备配备了一个完整的诊断阵列，通过I2c总线。 通过I控制设备的配置和行为的可能性2c总线使TDA7562B成为非常灵活的机器。 更多ST型号： STM32F429VIT6TR L9781TR L9951XP-TR VB525SPTR-E STM32F401RCT6 VNS1NV04DPTR-E STM32F105VCT6 STM32F429VGT6TR STUSB4500QTR 如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 VNLD5090TR-E产品描述 VNLD5090-E是采用意法半导体VIPower技术制造的单芯片器件，用于驱动电阻性或电感性负载，其一端连接到电池。内置热关断保护芯片免于过热和短路。输出电流限制可在过载情况下保护器件。在长时间过载的情况下，器件会将功耗限制在安全水平，直至热关断干预。具有自动重启功能的热关断允许器件在故障条件消失后立即恢复正常运行。感性负载的快速退磁在关断时实现。 更多其他型号： VNLD5090TR-E VN7003ALHTR VN750B5TR-E STTH2003CG-TR STP120NF10 VND7020AJTR STM8S003F3U6TR ST72F324BJ6T6 STM32L071CBU6 STM32F205RET6 STM32F103RDT6 STM32F072RBT6 STM32F429VET6 STM32F412VET6 ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

根据所选的器件，包括不同的外设集，下面的描述概述了该系列中建议的所有外设。 这些特性使STM32F103xx中密度系列微控制器适合各种应用，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外设、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。 其他更多型号： STM32F401CBU6 STM32F400RBT6 STM32F446ZEJ6 STM32F373RCT6TR STM8AF6223PCX STM32F429ZET6 STM32F401RBT6TR STM32F103VBT6 STM32F030C6T6 STM32G070RBT6 STM32G070CBT6 STM32F207VET6 STM32H750VBT6 STM32F205VET6 STM32L451RCT6 ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。
STM32F103VBT6特性： STM32F103xx中密度系列集成了ARM®皮质®-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器(闪存高达128千字节，SRAM高达20千字节)，以及连接到两条APB总线的大量增强型I/o和外设。所有器件都提供两个12位ADC、三个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和通信接口:多两个I2Cs和SPI，三个USARTs，一个USB和一个CAN。
主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 STM32L151RCT6功能描述： 低功耗的STM32L151xC和STM32L152xC器件集成了通用串行总线(USB)与ARM的连接能力®皮质®-M3 32位RISC内核，工作频率为32 MHz (33.3 DMIPS)，内存保护单元(MPU)，高速嵌入式存储器(闪存高达256千字节，RAM高达32千字节)，以及连接到两条APB总线的大量增强I/o和外设。 STM32L151xC和STM32L152xC器件提供两个运算放大器、一个12位ADC、两个DAC、两个低功耗比较器、一个通用32位定时器、六个通用16位定时器和两个基本定时器，可用作时基。 此外，STM32L151xC和STM32L152xC器件包含标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个I2S、三个USARTs和一个USB。STM32L151xC和STM32L152xC器件提供多达23个容性检测通道，可为任何应用添加触摸检测功能。 封装：LQFP-64 包装：tape and reel STM32L4R5ZIT6 STM32L151RCT6 STM32H743IIT6 VNHD7008AYTR VNQ810PTR-E VN800PSTR-E STM32F207ZGT6 STM32F205VGT6 STM32F103R8T6 STM32F722RET6 STM32G471RCT6TR STM32L071V8T6 VND7050AJTR VNQ7050AJTR VND7030AJTR ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。
STM32F105R8T6特性： 主流互连型ARM Cortex-M3微控制器，具有64 KB闪存、72 MHz CPU、CAN和USB 2.0 OTG STM32F105xx和STM32F107xx连接系列集成了ARM®皮质®-工作频率为72 MHz的M3 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和64千字节的SRAM)，以及连接到两条APB总线的大量增强型I/o和外设。