W25Q32FVZPIG，WINBOND/华邦内存芯片

W25Q32JV系列：
W25Q32JVSSIQ
W25Q32JVZPIQ
W25Q32JVTCIQ
W25Q32JVZEIQ
W25Q32JVSSIM
W25Q32JVSSAQ
W25Q32JVZEIQ
产品特性：
具有 4KB 扇区的灵活架构 – 统一扇区/块擦除（4K/32K/64K 字节） – 每个可编程页编程 1 至 256 字节 – 擦除/程序暂停和恢复  安全功能 – 软件和硬件写保护 – 特殊 OTP 保护（2） – 顶部/底部，补码阵列保护 – 单个块/扇区阵列保护 – 每个设备的 64 位 ID – 可发现参数 （SFDP） 寄存器 – 3X256 字节安全寄存器 – 易失性和非易失性状态 寄存器位  节省空间的封装 – 8 引脚 SOIC/VSOP 150/208 密耳 – 16 针 SOIC 300 密耳 – 8 焊盘 WSON 6x5 毫米/8x6 毫米 – 8 焊盘 USON 4x3 毫米 – 8 焊盘 XSON 4x4 毫米 – 24 引脚 TFBGA 8x6 毫米（6x4/5x5 球阵列）
主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系

W9825G6JB系列型号：
W9825G6JB-6
W9825G6JB-6I
W9825G6JB-75一般描述：
W9825G6JB汽车级是一款高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为4M字4组16位。该器件提供高达每秒 166M 字的数据带宽。W9825G6JB分为以下速度等级：-6，-6I和-75。-6 级符合 166MHz/CL3 或 133MHz/CL2 规范。-6I 工业级符合 166MHz/CL3 规范，支持 -40°C ≤ TA ≤ 85°C。 -75 级符合 133MHz/CL3 规范。
特点：
3.3V ± 0.3V 电源 
高达 166 MHz 的时钟频率 
4，194，304 字  4 库  16 位组织 
自刷新模式：标准和低功耗  CAS 延迟：2 和 3 
突发长度：1、2、4、8 和整页 
突发读取，单次写入模式  字节数据由LDQM控制， UDQM 
掉电模式  自动预充电和受控预充电  8K 刷新周期/64 mS 
接口：LVTTL  采用 TFBGA 54 球 （8x8 mm2） 封装，
使用符合 RoHS 标准的无铅材料
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q16JVSAQ W25Q16JVUXIQ
W25Q16JVSIQ W25Q16JVZPIM
W25Q16JVSNIM W25Q16JVZPIQ
W25Q16JVSNIQ W25Q16JVZPIQ-TR
W25Q16JVSNIQT W25Q16JWSNIM
W25Q16JVSSIQ W25Q16JWSNIQ
W25Q16JVSSIQT W25Q16JWSSIQ
W25Q16JVSSIQTR W25Q16JWXHIQ
W25Q16JVSSIQ-TR W25Q16VSSIG
W25Q16JVUUIQ W25Q20BWZPIG
W25Q16JVUXIM W25Q20CLSNIG
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

W958D6DBC：这是一个256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
PSRAM（虚拟静态随机存取记忆体）是由一个DRAM主体核心与传统SRAM介面所组成。晶片上的刷新电路，可省略使用者需要记忆体刷新的考量。相对于传统的CMOS SRAM，PSRAM具有更高容量，高速度，更小的晶片尺寸，以及与DRAM相容的优势
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q64DWSS1G W25Q64FVSSBQ
W25Q64DWSTIM W25Q64FVSSIG
W25Q64DWZPIG W25Q64FVSSIQ
W25Q64FVAIQ W25Q64FVSTIM
W25Q64FVBYIF W25Q64FVTCIP
W25Q64FVFIG W25Q64FVZEIG
W25Q64FVSFIG W25Q64FVZPIG
W25Q64FVSIG W25Q64FWBYIG
W25Q64FVSIQ W25Q64FWIG
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