STF36N60M6，ST意法场效应管原装供货

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G071KBU6功能描述：
主流Arm Cortex-M0+ MCU，具有128 KB Flash存储器、36 KB RAM、64 MHz CPU、4x USART、定时器、ADC、DAC和通信接口，1.7-3.6V
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STFU10N80K5
STFU10NK60Z
STFU13N65M2
STFU15N80K5
STFU16N65M2
STFU23N80K5
STFW1N105K3
STFW2N105K5
STFW3N170
STFW45N65M5
STFW8N120K5
STH10N80K5-2AG
STH12N120K5-2
STH15810-2
STH30N65DM6-7AGST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。

LD3985M28R与低ESR电容兼容的低压降低噪声BiCMOS稳压器:
LD3985 在 2.5 V 至 6 V 输入电压范围内提供高达 150 mA 的电流。低压降、低静态电流和低噪声使其适用于低功耗应用和电池供电系统。稳压器接地电流仅在压差时略有增加，从而延长了电池寿命。电源抑制在低频时优于60 dB，在10 kHz时滚降。高电源抑制保持在电池供电电路常见的低输入电压电平。提供关断逻辑控制功能，这意味着当器件用作本地稳压器时，可以将电路板的一部分置于待机状态，从而降低总功耗。LD3985 设计用于低 ESR 陶瓷电容器。典型应用是移动电话和类似的电池供电无线系统。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF17NF25
STF18N60M2
STF18N65M2
STF18NM60N
STF18NM80
STF19NF20
STF20N65M5
STF20N90K5
STF20N95K5
STF20NF20
STF20NM65N-Y11
STF21N65M5
STF23NM60
STF24N60DM2ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

RF2L16180CB4
180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
功能
率和线性增益操作
集成静电保护
内部匹配，易于使用
针对多尔蒂应用进行了优化
较大的正负栅极-源极电压范围，可改善 C 类操作
符合欧洲指令 2002/95/EC
ST其他部分MOSFET型号：
STB100NF03L-03T4
STB10LN80K5
STB11N65M5
STB11NK40ZT4
STB11NK50ZT4
STB120NF10T4
STB12NM50ND
STB13N60M2
STB13N80K5
STB13NM60N
STB14NK50ZT4
STB150NF04
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，我们只做原装，欢迎合作！

STB100N10F7
N 沟道 100 V、0.0068 欧姆（典型值）、80 A STripFET F7 功率 MOSFET，采用 D2PAK 封装
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技术，具有增强的沟槽栅极结构，可实现非常低的导通电阻，同时还降低了内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更的开关。
所有功能
在低的R中DS（开启）在市场上
的FoM（品质因数）
低 C.rss/C国际空间站抗扰度比
高雪崩性
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STB37N60DM2AG
STB45N30M5
STB46NF30
STB47N50DM6AG
STB47N60DM6AG
STB4NK60Z-1
STB4NK60ZT4
STB55NF06LT4
STB55NF06T4
STB57N65M5
STB5N80K
STB60NF06LT4
STB60NF06T4
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STB28N65M2
N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装
这些器件是采用 MDmesh™ M2 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。由于其带状布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求苛刻的率转换器。
极低的栅极电荷
出色的输出电容 （C开放源码软件） 简介
雪崩测试
齐纳保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD10NF10T4
STD10NM60N
STD10NM60ND
STD10P10F6
STD10P6F6
STD10PF06-1
STD10PF06T4
STD110N8F6
STD11N50M2
STD11N60DM2
STD11N65M2
STD11N65M5
STD12N50M2
STD12N60DM2AG
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STB47N50DM6AG
汽车级N沟道500 V、61 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，D2PAK封装
符合 AEC-Q101 标准
快速恢复体二极管
较低的RDS（开启）单位面积与上一代相比
低栅极电荷、输入电容和电阻
雪崩测试
的 dv/dt 性
齐纳保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD12NF06LT4
STD13N60DM2
STD13N60M2
STD13N60M6
STD13NM60N
STD13NM60ND
STD140N6F7
STD15N50M2AG
STD15N60DM6
STD15NF10T4
STD15P6F6AG
STD16N50M2
STD16N60M6
STD16N65M2
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！