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ST意法场效应管MOSFET原装系列 |
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主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32L151RCT6功能描述：
低功耗的STM32L151xC和STM32L152xC器件集成了通用串行总线(USB)与ARM的连接能力®皮质®-M3 32位RISC内核，工作频率为32 MHz (33.3 DMIPS)，内存保护单元(MPU)，高速嵌入式存储器(闪存高达256千字节，RAM高达32千字节)，以及连接到两条APB总线的大量增强I/o和外设。
STM32L151xC和STM32L152xC器件提供两个运算放大器、一个12位ADC、两个DAC、两个低功耗比较器、一个通用32位定时器、六个通用16位定时器和两个基本定时器，可用作时基。
此外，STM32L151xC和STM32L152xC器件包含标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个I2S、三个USARTs和一个USB。STM32L151xC和STM32L152xC器件提供多达23个容性检测通道，可为任何应用添加触摸检测功能。
封装：LQFP-64
包装：tape and reel
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF4N62K3
STF5N52K3
STF5N60M2
STF5N80K5
STF5N95K3
STF5N95K5
STF5NK100Z
STF6N60M2
STF7LN80K5
STF7N105K5
STF7N60DM2
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。
LD3985M28R与低ESR电容兼容的低压降低噪声BiCMOS稳压器:
LD3985 在 2.5 V 至 6 V 输入电压范围内提供高达 150 mA 的电流。低压降、低静态电流和低噪声使其适用于低功耗应用和电池供电系统。稳压器接地电流仅在压差时略有增加，从而延长了电池寿命。电源抑制在低频时优于60 dB，在10 kHz时滚降。高电源抑制保持在电池供电电路常见的低输入电压电平。提供关断逻辑控制功能，这意味着当器件用作本地稳压器时，可以将电路板的一部分置于待机状态，从而降低总功耗。LD3985 设计用于低 ESR 陶瓷电容器。典型应用是移动电话和类似的电池供电无线系统。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF17NF25
STF18N60M2
STF18N65M2
STF18NM60N
STF18NM80
STF19NF20
STF20N65M5
STF20N90K5
STF20N95K5
STF20NF20
STF20NM65N-Y11
STF21N65M5
STF23NM60
STF24N60DM2ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。
SCT50N120
碳化硅功率 MOSFET 1200 V、65 A、59 mOhm（典型值 TJ = 150 C），采用 HiP247 封装
所有功能
导通电阻随温度的变化非常小
非常高的工作结温能力（TJ= 200 °C）
非常快速和坚固的本征体二极管
低电容
ST其他部分MOSFET场效应管型号：
STB18NF25
STB18NM80
STB20NM60D
STB20NM60T4
STB21N90K5
STB23N80K5
STB23NM60ND
STB24N60DM2
STB24N60M2
STB25NF06LAG
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STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
所有功能：
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数（FoM）
极低的栅极电荷
经过100％雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STB6N60M2
STB6NK60ZT4
STB6NK90ZT4
STB75NF20
STB75NF75LT4
STB75NF75T4
STB80NF10T4
STB80NF55L-08-1
STB8NM60T4
STB9NK50ZT4
STD100N10F7
STD100N3LF3
STD10LN80K5
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STD100N10F7
N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
处于市面上低的 RDS(on) 行列
出色的品质因数（FoM）
较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
坚固的抗雪崩能力
STD100N3LF3：
N沟道30 V、0.0045 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) II功率MOSFET，DPAK封装
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD1NK60-1
STD1NK60T4
STD1NK80ZT4
STD20NF06T4
STD20NF20
STD25N10F7
STD25NF10LA
STD25NF10LT4
STD25NF10T4
STD25NF20
STD26P3LLH6
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STD12N60DM2AG
汽车级N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装
STD12NF06LT4
N 沟道 60 V、典型值 70 mOh、12 A、条形场效应晶体管 II 功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，该功率MOSFET系列采用意法半导体特的STripFET™工艺开发，该工艺设计用于小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用的隔离式DC-DC转换器的主开关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD3NK100Z
STD3NK50ZT4
STD3NK60Z-1
STD3NK80Z-1
STD3NK80ZT4
STD3NK90ZT4
STD40NF03LT4
STD40NF10
STD45N10F7
STD4LN80K5
STD4N80K5
STD4N90K5
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！
深圳市鑫富立科技有限公司成立于年轻而富有活力的科技城市——深圳。公司拥有的销售团队和的服务团队，丰富的产品线。我们坚持为每一位客户提供好的产品，完善的解决方案，的服务。立足深圳，面向，公司致力于打造成为具有影响力的综合性元器件提供商。
我们与国内外众多厂商建立了稳固的合作关系，拥有丰富的产品线。代理分销产品有：MCU单片机、存储芯片、逻辑芯片、电源管理、数据转换、触摸芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频器件、音频功放、驱动芯片、接口芯片、蓝牙芯片、监控芯片、定位芯片、WIFI芯片、汽车芯片、光耦合器等。我们的产品广泛应用于汽车、通讯、安防、手机、平板、穿戴、智能家居、车载、蓝牙、GPS、IoT、医疗、家电、玩具、工控等。
“诚信为本，品质；共创价值，合作共赢“是我们不变的宗旨。我们始终如一地为客户提供的服务，为客户创造更大的价值。
经过近十年的发展壮大，公司现已有几十个品牌上万种各种型号规格的产品。我们代理分销的品牌有：ST、GD、TI、MPS、INFINEON、MICROCHIP、WINBOND、MXIC、BOYAMICRO、NXP、REALTEK、HISILICON、MITSUBISH、NORDIC、EPSON、SEIKO，NDK、KDS、TXC、MURATA、EPCOS、AWINIC、SGMICRO、BELLING、AOS、Silicon、WILLSEMI、INPAQ、WISOL、EPCOS、TAIYO、WALSIN、HD、ACX、MAXIM、MAXSCEND、RDA、JRC、EPTICORE、CHIPHOMER、MIRAMEMS、QST、BOSCH、MEMSIC、INVENSENSE、MCUBE、VANCHIP、RICHTEK、U-BLOX等等。
公司产品品类涵盖了：单片机MCU、存储IC、逻辑IC、晶振、滤波器、双工器、PA功放、音频功放、电源IC、充电IC、fc前法拉电容、GPS低噪放大器、地磁传感器、重力传感器、距离传感器、陀螺仪、气压传感器、心率传感器、光感、定位IC、LED驱动、呼吸灯、模拟开关、二三极管、MOS、TVS、电感、磁珠、共模滤波器等等。
随着公司的发展，新的品牌和产品在不断地增加更新中。我们期待与您的合作！
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