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元素硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素。地壳成分中27.8%是硅元素构成的,仅次于氧元素含量排行第二,硅是自然界中比较富的元素。在石英、玛瑙、隧石和普通的滩石中就可以发现硅元素。硅晶片又称晶圆片,是由硅锭加工而成的,通过的工艺可以在硅晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管,被广泛应用于集成电路的制造。
现有晶圆片生产过程中,需要从一道生产工序转移到下一道生产上,现有技术中依靠人力进行传送,传送过程的耗费人力,且人为传送力道不能掌握,容易造成破片。为此,我们提供了一种自动晶圆传片器以解决以上问题。
为了保护晶圆在切割过程中免受外部损伤，事先会在晶圆上贴敷胶膜，以便更安全的“切单”。“背面减薄”过程中，胶膜会贴在晶圆的正面。但与此相反，在“刀片”切割中，胶膜要贴在晶圆的背面。而在共晶贴片，把分离的芯片固定在PCB或定架上过程中，贴会背面的这一胶膜会自动脱落。切割时由于摩擦很大，所以要从各个方向连续喷洒DI水(去离子水)。而且，叶轮要附有金刚石颗粒，这样才可以更好地切片。此时，切口(刀片厚度:凹槽的宽度)均匀，不得超过划片槽的宽度。
很长一段时间，锯切一直是被广泛使用的传统的切割方法，其大的优点就是可以在短时间内切割大量的晶圆。然而，如果切片速度大幅提高，小芯片边缘剥落的可能性就会变大。因此，应将叶轮的旋转次数控制在每分钟30000次左右。
切片工序的关键部分是切割刀片的修整(dressing)。在非监测的切片系统中，修整工序是通过一套反复试验来建立的。在刀片负载受监测的系统中，修整的终点是通过测量的力量数据来发现的，它建立佳的修整程序。这个方法有两个优点:不需要来佳的刀片性能，和没有合格率损失，该损失是由于用部分修整的刀片切片所造成的质量差。
UV膜与蓝膜相比，它的粘性剥离度可变性使得其性很大，主要作用为:用于wafer减薄过程中对wafer进行固定;water划切过程中，用于保护芯片，防止其脱落或崩边，用于wafer的翻转和运输，防止已经划好的芯片发生脱落。规范化使用UV膜和蓝膜的各个参数，根据芯片所需要的加工工艺，选择合适的UV膜或者蓝膜，即可以节省成本，又可以加进芯片产业化发展。
晶圆倒片机是用来调整集成电路产线上晶圆生产材料序列位置的一款设备，它的任务是将产线上的晶圆通过制程需要进行分批、合并、翻转后进行下一道程序，这就要求晶圆倒片机拥有的传送效率和洁净程度。通俗来讲，更方便制造芯片，并且能够在高度环境要求下制造更好的芯片。
内圆切割时晶片表层损害层大，给CMP产生挺大黔削抛光工作中；刃口宽。材料损害大。品片出率低；成木高。生产效率低；每一次只有切割一片。当晶圆直径达到300mm时。内圆刀头外径将达到1.18m。内径为410mm。在生产制造、安装与调节上产生许多艰难。故后期主要发展趋势线切别主导的晶圆切割技术。
在芯片的分割期间，刀片碾碎基础材料(晶圆)，同时去掉所产生的碎片。材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的切割线(迹道)发生的。冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内，改善切割品质，和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。
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