W78L052C24PL，WINBOND/华邦内存闪存芯片

W25Q32JV（
32M位）串行闪存为空间、引脚和功率有限的系统提供了一个存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和
性能远远超过普通的系列闪存设备。它们是理想的代码阴影到RAM，直接从双/四轴SPI（
XIP）执行代码，并存储
语音、文本和数据。该设备运行在一个2.7V到3.6V的电源与1µA断电。所有的设备都有节省空间的套餐。
W25Q32JV阵列被组织成16,384个可编程页，每页有256字节。一次多可以编程256个字节。页面可分为16组(4KB
扇区清除）、128组(32KB块删除）、256组(64KB块删除）或整个芯片（芯片清除）。W25Q32JV分别有1,024个可
擦除扇区和64个可擦除块。小型的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W19B160BBT7H W24L257S70LL
W19B320ABT7H W256128JVSIQ
W19L320STT9C W25D40VNIG
W241024AI-15 W25D40VSSIG
W24129AS-35 W25D80SCP
W24257AJ-15 W25D80VSSIG
W24257AS-35 W25H512JVFAM
W24258-70LL W25LQ32DWIG
W2465AJ-15 W25M02GVZEIG
W2465S-70LL W25M02GWZEIG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

W25Q32JV系列：
W25Q32JVSSIQ
W25Q32JVZPIQ
W25Q32JVTCIQ
W25Q32JVZEIQ
W25Q32JVSSIM
W25Q32JVSSAQ
W25Q32JVZEIQ
产品特性：
具有 4KB 扇区的灵活架构 – 统一扇区/块擦除（4K/32K/64K 字节） – 每个可编程页编程 1 至 256 字节 – 擦除/程序暂停和恢复  安全功能 – 软件和硬件写保护 – 特殊 OTP 保护（2） – 顶部/底部，补码阵列保护 – 单个块/扇区阵列保护 – 每个设备的 64 位 ID – 可发现参数 （SFDP） 寄存器 – 3X256 字节安全寄存器 – 易失性和非易失性状态 寄存器位  节省空间的封装 – 8 引脚 SOIC/VSOP 150/208 密耳 – 16 针 SOIC 300 密耳 – 8 焊盘 WSON 6x5 毫米/8x6 毫米 – 8 焊盘 USON 4x3 毫米 – 8 焊盘 XSON 4x4 毫米 – 24 引脚 TFBGA 8x6 毫米（6x4/5x5 球阵列）
主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系

W9825G6JB系列型号：
W9825G6JB-6
W9825G6JB-6I
W9825G6JB-75一般描述：
W9825G6JB汽车级是一款高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为4M字4组16位。该器件提供高达每秒 166M 字的数据带宽。W9825G6JB分为以下速度等级：-6，-6I和-75。-6 级符合 166MHz/CL3 或 133MHz/CL2 规范。-6I 工业级符合 166MHz/CL3 规范，支持 -40°C ≤ TA ≤ 85°C。 -75 级符合 133MHz/CL3 规范。
特点：
3.3V ± 0.3V 电源 
高达 166 MHz 的时钟频率 
4，194，304 字  4 库  16 位组织 
自刷新模式：标准和低功耗  CAS 延迟：2 和 3 
突发长度：1、2、4、8 和整页 
突发读取，单次写入模式  字节数据由LDQM控制， UDQM 
掉电模式  自动预充电和受控预充电  8K 刷新周期/64 mS 
接口：LVTTL  采用 TFBGA 54 球 （8x8 mm2） 封装，
使用符合 RoHS 标准的无铅材料
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q16JVSAQ W25Q16JVUXIQ
W25Q16JVSIQ W25Q16JVZPIM
W25Q16JVSNIM W25Q16JVZPIQ
W25Q16JVSNIQ W25Q16JVZPIQ-TR
W25Q16JVSNIQT W25Q16JWSNIM
W25Q16JVSSIQ W25Q16JWSNIQ
W25Q16JVSSIQT W25Q16JWSSIQ
W25Q16JVSSIQTR W25Q16JWXHIQ
W25Q16JVSSIQ-TR W25Q16VSSIG
W25Q16JVUUIQ W25Q20BWZPIG
W25Q16JVUXIM W25Q20CLSNIG
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

W74M12JW：W74M产品不但能够让系统设计人员强化程序和资料存储的安全，也可以提供物联网周边设备连到云端的安全性，以及多层次的物联网设备的安全认证。此系列的安全产品也提高了网关、传感器、智慧门铃、网路摄影机和其他新兴设备的安全性。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q40EWUXIE W25Q64CVSFIG
W25Q512JVEIQ W25Q64CVSFSG
W25Q512JVEIQT W25Q64CVSIG
W25Q512JVFIM W25Q64CVSSIG
W25Q512JVFIQ W25Q64CVSTIM
W25Q64BVFIG W25Q64CVZEIG
W25Q64BVSSI W25Q64CVZESG
W25Q64BVSSIG W25Q64CVZPAG
W25Q64CVCIP W25Q64CVZPIG
W25Q64CVFIG W25Q64DWIG
W25Q64CVIG W25Q64DWSIG
主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

W958D6DBC：这是一个256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
PSRAM（虚拟静态随机存取记忆体）是由一个DRAM主体核心与传统SRAM介面所组成。晶片上的刷新电路，可省略使用者需要记忆体刷新的考量。相对于传统的CMOS SRAM，PSRAM具有更高容量，高速度，更小的晶片尺寸，以及与DRAM相容的优势
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q64DWSS1G W25Q64FVSSBQ
W25Q64DWSTIM W25Q64FVSSIG
W25Q64DWZPIG W25Q64FVSSIQ
W25Q64FVAIQ W25Q64FVSTIM
W25Q64FVBYIF W25Q64FVTCIP
W25Q64FVFIG W25Q64FVZEIG
W25Q64FVSFIG W25Q64FVZPIG
W25Q64FVSIG W25Q64FWBYIG
W25Q64FVSIQ W25Q64FWIG
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

一般描述 ：W29N02GV（2G 位）NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供存储解决方案。它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据（如语音、视频、文本和照片）的理想选择。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电，3V 时有功电流消耗低至 25mA，CMOS 待机电流为 10uA。 内存阵列总计 276，824，064 字节，并组织成 2，048 个 135，168 字节的可擦除块。 每个块由 64 个可编程页面组成，每个页面 2，112 字节。每个页面由主数据存储区域的 2，048 字节和备用数据区域的 64 字节组成（备用区域通常用于错误管理功能）。 W29N02GV 支持标准 NAND 闪存接口，使用多路复用 8 位总线传输数据、地址和命令指令。五个控制信号（CLE、ALE、#CE、#RE和#WE处理总线接口协议。此外，该器件还有另外两个信号引脚，#WP（写保护）和 RY/#BY（就绪/忙碌），用于监控器件状态。
W25Q256FV：
3 字节或 4 字节寻址模式
UID 和 OTP 功能
易失性和非易失性 SR
单个块/扇区写保护
可编程输出驱动器强度
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q32FVTCIG W25Q32JVSSIQ
W25Q32FVTCIP W25Q32JVSSIQT
W25Q32FVZPIG W25Q32JVSSIQ-T
W25Q32FWBYIC W25Q32JVTBIQ
W25Q32FWIG W25Q32JVTCIM
W25Q32FWSSAQ W25Q32JVTCIQ
W25Q32FWSSIG W25Q32JVXGIQ
W25Q32FWXGIG W25Q32JVZEIQ
W25Q32FWZPIG W25Q32JVZPAQ
W25Q32JVSIQ W25Q32JVZPIG
W25Q32JVSNIQ W25Q32JVZPIM
W25Q32JVSSAM W25Q32JVZPIQ
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。