有源器件记忆存储芯片W9751G6IB-25,WINBOND/华邦内存.. 免费发布记忆存储芯片信息

W9751G6IB-25,WINBOND/华邦内存闪存芯片

更新时间:2024-06-28 05:05:48 编号:s22iimdde72748
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  • WINBOND/华邦存储IC

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周玉军

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WINBOND/华邦存储IC
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全国

W9751G6IB-25,WINBOND/华邦内存闪存芯片

主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系。
W25Q64JV 阵列分为 32,768 个可编程页,每个页 256 字节。
一次多可编程 256 个字节。页面可以按 16 个组(4KB 扇区擦除)、128 组(32KB 块擦除)、256 组(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。
W25Q64JV 分别有 2,048 个可擦除扇区和 128 个可擦除块。小型 4KB 扇区为需要数据和参数存储的应用程序提供了更大的灵活性
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q128JWPIQ W25Q16CVSIG
W25Q128JWSIQ W25Q16CVSNAG
W25Q128JWYIQ W25Q16CVSP
W25Q16BVNIG W25Q16CVSSIG
W25Q16BVS1G W25Q16DVDAIG
W25Q16BVSIG W25Q16DVIG
W25Q16BVSNIG W25Q16DVNIG
W25Q16BVSSIG W25Q16DVSIG
W25Q16CLNIG W25Q16DVSNIG
W25Q16CLSSIG W25Q16DVSNSG
W25Q16CVAIG W25Q16DVSSIG
W25Q16CVSFIG W25Q16DVUUIG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多信息咨询我们的

W25Q32JV系列:
W25Q32JVSSIQ
W25Q32JVZPIQ
W25Q32JVTCIQ
W25Q32JVZEIQ
W25Q32JVSSIM
W25Q32JVSSAQ
W25Q32JVZEIQ
产品特性:
具有 4KB 扇区的灵活架构 – 统一扇区/块擦除(4K/32K/64K 字节) – 每个可编程页编程 1 至 256 字节 – 擦除/程序暂停和恢复  安全功能 – 软件和硬件写保护 – 特殊 OTP 保护(2) – 顶部/底部,补码阵列保护 – 单个块/扇区阵列保护 – 每个设备的 64 位 ID – 可发现参数 (SFDP) 寄存器 – 3X256 字节安全寄存器 – 易失性和非易失性状态 寄存器位  节省空间的封装 – 8 引脚 SOIC/VSOP 150/208 密耳 – 16 针 SOIC 300 密耳 – 8 焊盘 WSON 6x5 毫米/8x6 毫米 – 8 焊盘 USON 4x3 毫米 – 8 焊盘 XSON 4x4 毫米 – 24 引脚 TFBGA 8x6 毫米(6x4/5x5 球阵列)
主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系

W25Q16F系列:
W25Q16FWUXIE
W25Q16FWBYIG
W25Q16FWSSIQ
W25Q16FWUUIQ
W25Q16FWSNIQ
W25Q16FWZPIQ
W25Q16FWSNIG
W25Q16FWSSIG
W25Q16FWSVIQ
W25Q16FWBIYG
产品特性:
W25Q16FW(16M 位)串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM,直接从双/四通道 SPI (XIP) 执行代码并存储语音、文本和数据。
该器件采用 1.65V 至 1.95V 单电源供电,电流消耗低至 4mA 有效,关断电流低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
串行闪存 – 104MHz 单通道、双通道/四通道 SPI 时钟 – 等效于 208/416MHz 双通道/四通道 SPI – 50MB/S 连续数据传输速率 – 每个扇区至少 100K 编程擦除周期 – 超过 20 年的数据保留
W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式,相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。W25Q系列是25X系列的进阶版,可支援Quad-I/O SPI四线输出入模式提供更高的效能,操作频率104MHz同等于416MHz(50M-Byte/S传输率),相当于是一般单线SPI操作的4倍效能。W25Q系列不但效能超过Parallel flash,还提供更少脚位的封装。
更快的传输率代表控制器可以直接透过SPI介面与闪存做晶片内执行(XIP, eXecute In Place),或是加快复制代码到RAM使开机速度加快。除此之外,部份SpiFlash支援QPI (Quad Peripheral Interface)让指令集可更快的传输,加快XIP的传输效率。另外更小的封装, 更利于对设计空间有限的手持和行动装置应用。®
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q16DVZPIG W25Q16FWSSIQ
W25Q16DVZPIQ W25Q16FWSVIQ
W25Q16DWBYIG W25Q16FWUUAQ
W25Q16DWSNAG W25Q16FWUUIQ
W25Q16DWSSIG W25Q16FWUXIE
W25Q16DWUUIG W25Q16FWZPIQ
W25Q16DWYS06 W25Q16JLSNIG
W25Q16DWZPIG W25Q16JVBYIQ
W25Q16FWBYIG W25Q16JVNIQ
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多信息咨询我们的销售人员。

W9825G6JB系列型号:
W9825G6JB-6
W9825G6JB-6I
W9825G6JB-75一般描述:
W9825G6JB汽车级是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织为4M字4组16位。该器件提供高达每秒 166M 字的数据带宽。W9825G6JB分为以下速度等级:-6,-6I和-75。-6 级符合 166MHz/CL3 或 133MHz/CL2 规范。-6I 工业级符合 166MHz/CL3 规范,支持 -40°C ≤ TA ≤ 85°C。 -75 级符合 133MHz/CL3 规范。
特点:
3.3V ± 0.3V 电源 
高达 166 MHz 的时钟频率 
4,194,304 字  4 库  16 位组织 
自刷新模式:标准和低功耗  CAS 延迟:2 和 3 
突发长度:1、2、4、8 和整页 
突发读取,单次写入模式  字节数据由LDQM控制, UDQM 
掉电模式  自动预充电和受控预充电  8K 刷新周期/64 mS 
接口:LVTTL  采用 TFBGA 54 球 (8x8 mm2) 封装,
使用符合 RoHS 标准的无铅材料
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q16JVSAQ W25Q16JVUXIQ
W25Q16JVSIQ W25Q16JVZPIM
W25Q16JVSNIM W25Q16JVZPIQ
W25Q16JVSNIQ W25Q16JVZPIQ-TR
W25Q16JVSNIQT W25Q16JWSNIM
W25Q16JVSSIQ W25Q16JWSNIQ
W25Q16JVSSIQT W25Q16JWSSIQ
W25Q16JVSSIQTR W25Q16JWXHIQ
W25Q16JVSSIQ-TR W25Q16VSSIG
W25Q16JVUUIQ W25Q20BWZPIG
W25Q16JVUXIM W25Q20CLSNIG
公司承诺所售产品均为原装,更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

NAND+LPDDR2系列:
W71NW10GE3FW
W71NW10HE3FW
W71NW10HM3FW
W71NW20GF3FW
W71NW20KM3FW
W71NW20KJ3FW
W71NW42KJ3FW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR2
W25N01GW产品特性:
一般描述
W25N01GW(1G 位)串行 SLC NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM,直接从双/四通道 SPI (XIP) 执行代码并存储语音、文本和数据。
待机电流低至 10μA。
W958D6DBC
这是一个256M位CellularRAM™兼容产品,组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q32JWBYIQ W25Q40BWZPIG
W25Q32JWUUIQ W25Q40CLSNIG
W25Q32JWZPIQ W25Q40CLSSIP
W25Q40BVNIG W25Q40CLUXIG
W25Q40BVSNIG W25Q40CVUXJG
W25Q40BWSNIG W25Q40EWBYIG
W25Q40BWUXIE W25Q40EWSNIG
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一般描述 :W29N02GV(2G 位)NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供存储解决方案。它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据(如语音、视频、文本和照片)的理想选择。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电,3V 时有功电流消耗低至 25mA,CMOS 待机电流为 10uA。 内存阵列总计 276,824,064 字节,并组织成 2,048 个 135,168 字节的可擦除块。 每个块由 64 个可编程页面组成,每个页面 2,112 字节。每个页面由主数据存储区域的 2,048 字节和备用数据区域的 64 字节组成(备用区域通常用于错误管理功能)。 W29N02GV 支持标准 NAND 闪存接口,使用多路复用 8 位总线传输数据、地址和命令指令。五个控制信号(CLE、ALE、#CE、#RE和#WE处理总线接口协议。此外,该器件还有另外两个信号引脚,#WP(写保护)和 RY/#BY(就绪/忙碌),用于监控器件状态。
W25Q256FV:
3 字节或 4 字节寻址模式
UID 和 OTP 功能
易失性和非易失性 SR
单个块/扇区写保护
可编程输出驱动器强度
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q32FVTCIG W25Q32JVSSIQ
W25Q32FVTCIP W25Q32JVSSIQT
W25Q32FVZPIG W25Q32JVSSIQ-T
W25Q32FWBYIC W25Q32JVTBIQ
W25Q32FWIG W25Q32JVTCIM
W25Q32FWSSAQ W25Q32JVTCIQ
W25Q32FWSSIG W25Q32JVXGIQ
W25Q32FWXGIG W25Q32JVZEIQ
W25Q32FWZPIG W25Q32JVZPAQ
W25Q32JVSIQ W25Q32JVZPIG
W25Q32JVSNIQ W25Q32JVZPIM
W25Q32JVSSAM W25Q32JVZPIQ
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