产品别名 |
TDK/EPCOS突波吸收电容 |
面向地区 |
全国 |
外形 |
方块状 |
应用范围 |
滤波 |
原理有开关过程中的漏电流、晶体管开关过程中的反向恢复时间等。
1、开关过程中的漏电流：在IGBT模块工作时，如果开关速度足够快，会产生大量瞬态漏电流，并在导通状态下引入大量电荷，这些电荷需要被重新收集或放散，从而形成了吸收电容效应。
2、晶体管开关过程中的反向恢复时间：IGBT模块的晶体管由PN结组成，在开关过程中，当晶体管从导通状态转变为截止状态时，PN结产生额外的电荷和电场效应，这会导致反向恢复时间延长，产生额外的吸收电容。
IGBT的吸收电容过热有哪些原因？
IGBT的吸收电容过热原因有几方面构成：
1、此电容是吸收过冲能量的一个电容，要求是低损耗、高频性能好，而且要允许通过大的脉动电流；
2、此电容选料要用聚碳酸树脂或者CBB料；
3、制作工艺一定要用无感办法，不能用卷绕制造方法；
4、喷金工艺不好也是发热的一个因素；
5、引出线应该用紫铜线，而不能用铁线或PC线，线径要1mm以上。
可以用电容吸收浪涌电压吗？
可以用电容吸收浪涌电压。由于电源模块体积小，在EMC要求比较高的场合，需要增加额外的浪涌防护电路，以提升系统EMC性能，提高产品的可靠性。如图2所示，为提高输入级的浪涌防护能力，在外围增加了压敏电阻和TVS管。但图中的电路（a）、（b）原目的是想实现两级防护，但可能适得其反。如果（a）中MOV2的压敏电压和通流能力比MOV1低，在强干扰场合，MOV2可能无法承受浪涌冲击而提前损坏，导致整个系统瘫痪。同样的，电路（b），由于TVS响应速度比MOV快，往往是MOV未起作用，而TVS过早损坏。所以正确的接法一般是如图（c）、（d）所示，在两个MOV或是MOV和TVS之间接一个电感。可以在MOV和TVS之间加一个电阻，可以防止TVS先导通到损坏，而MOV还没来得及动作；在选取R的时候要考虑R的功耗，以免R先损坏；同时可以并联电容，吸收能量，提高抗浪涌能力；MOV和TVS的选型很关键，选择适当的大允许电压和大通流量很重要，这个就要参照电源模块的输入电压以及浪涌试验等级，如果电压选择小了后端供电不正常，选择大了起不到保护作用，通流量选小了器件容易损坏。所以，可以用电容吸收浪涌电压。
