产品别名 |
通讯射频电容,TEMEX高Q电容 |
面向地区 |
全国 |
直径 |
05 |
高度 |
05 |
容积 |
50L |
外形 |
方块状 |
应用范围 |
滤波 |
型号 |
251SHA180FCLE |
材质 |
陶瓷 |
法国TEMEX高Q电容 通讯射频电容251SHA180FCLE替代美国ATC电容
射频电容ESR的选用及应用 陶瓷电容电容的等效串联电阻损耗 在选用射频射频片状陶瓷电容时，等效串联电阻（ESRESR）常常是重要参数。ESR通常以毫欧姆为单位，是电容的介质损耗（Rsd）和金属损耗（Rsm）的综合（ESR＝Rsd+Rsm）。事实上所有射频线路都用到陶瓷电容，所以评估陶瓷电容损耗对线路性能的影响是十分重要的。 低损耗射频电容的优点 在所有射频电路设计中，选用低损耗（低ESR）片状电容都是一项重要考虑。以下是几种应用中低损耗电容的优点。在手持便携式发射设备的末级功率放大器内使用低损耗电容作场效应晶体管源极旁路和漏极耦合，可以延长电池寿命。ESR高的电容增加I2ESR损耗，浪费电池能量。使用低损耗电容产品使射频功率放大器更容易提高功率输出和和效率。例如，用低损耗射频片状电容作耦合，可以实现大的放大器功率输出和效率。对于目前的射频半导体设备，例如便携手持设备的单片微波微波集成电路，尤其是如此。许多这种设备的输入阻抗极低，因此输入匹配电路中电容的ESR损耗在全部网络的阻抗中占了很大的百分比。如果设备输入阻抗是1欧姆而电容ESR是0.8欧姆，约40％的功率将由于ESR损耗而被电容消耗掉。这将减低效率和输出功率。高射频功率应用也需要低损耗电容，这方面的典型应用是要使一个高射频功率放大器和动态阻抗相匹配。例如半导体等离子炉需要高射频功率匹配，设计匹配网络时使用了电容。负载从接近零的低阻抗大幅度摆动到接近开路，导致匹配网络中产生大电流，使电容负荷剧增。这种情况使用低损耗电容
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