有源器件记忆存储芯片W83977ATF-AW,WINBOND/华邦内存.. 免费发布记忆存储芯片信息

W83977ATF-AW,WINBOND/华邦内存闪存芯片

更新时间:2024-07-01 04:43:39 编号:s5boasql11181
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  • WINBOND/华邦存储IC

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周玉军

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WINBOND/华邦存储IC
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全国

W83977ATF-AW,WINBOND/华邦内存闪存芯片

W25Q256JV特性:
SpiFlash 存储器系列 – W25Q256JV:256M 位 / 32M 字节 – 标准 SPI: CLK, /CS, DI, DO – 双 SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, – 四通道 SPI: CLK, /CS, IO0, IO1, IO2, IO3 – 3 或 4 字节寻址模式 – 软件和硬件复位(1)  串行闪存 – 133MHz 标准/双通道/四通道 SPI 时钟 – 相当于 266/532MHz 双通道/四通道 SPI – 66MB/S 连续数据传输速率 – 每个扇区至少 100K 编程擦除周期 – 超过 20 年的数据保留 的“连续读取” – 四通道外设接口 – 允许真正的 XIP(就地执行)操作 – 优于 X16 并行闪存  低功耗、宽温度范围 – 2.7 至 3.6V 单电源 –<1μA 关断(典型值) – -40°C 至 +85°C 工作范围 – -40°C 至 +105°C 工作范围
华邦其他型号:
W25Q128FVEIG W25Q128FWFIG
W25Q128FVFG W25Q128FWFIQ
W25Q128FVFIG W25Q128FWPF
W25Q128FVIQ W25Q128FWPG
W25Q128FVPIG W25Q128FWPIF
W25Q128FVPIQ W25Q128FWPIG
W25Q128FVPQ W25Q128FWPIM
W25Q128FVSAQ W25Q128FWPM
W25Q128FVSIG W25Q128FWSBQ
W25Q128FVSIQ W25Q128FWSIF
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多信息咨询我们的销售人员。

主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系。
W25Q128JVEIQ128M 位串行闪存,具有统一的 4KB 扇区和双/四通道 SPI
一般说明 W25Q128JV(128M 位)串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。它们非常适合将代码影子复制到 RAM,直接从双/四通道 SPI (XIP) 执行代码并存储语音、文本和数据。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电,关断时电流消耗低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q128FWSIG W25Q128JVFIQ
W25Q128FWSIQ W25Q128JVPIQ
W25Q128FWSQ W25Q128JVSAQ
W25Q128FWXR W25Q128JVSIM
W25Q128FWYIC W25Q128JVSIMTR
W25Q128JVBIQ W25Q128JVSIQ
W25Q128JVCIM W25Q128JVSIQTR
W25Q128JVEIQ W25Q128JVSQ
W25Q128JVEQ W25Q128JVSSIQ
W25Q128JVFIM W25Q128JWEIQ
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W25Q16F系列:
W25Q16FWUXIE
W25Q16FWBYIG
W25Q16FWSSIQ
W25Q16FWUUIQ
W25Q16FWSNIQ
W25Q16FWZPIQ
W25Q16FWSNIG
W25Q16FWSSIG
W25Q16FWSVIQ
W25Q16FWBIYG
产品特性:
W25Q16FW(16M 位)串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM,直接从双/四通道 SPI (XIP) 执行代码并存储语音、文本和数据。
该器件采用 1.65V 至 1.95V 单电源供电,电流消耗低至 4mA 有效,关断电流低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
串行闪存 – 104MHz 单通道、双通道/四通道 SPI 时钟 – 等效于 208/416MHz 双通道/四通道 SPI – 50MB/S 连续数据传输速率 – 每个扇区至少 100K 编程擦除周期 – 超过 20 年的数据保留
W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式,相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。W25Q系列是25X系列的进阶版,可支援Quad-I/O SPI四线输出入模式提供更高的效能,操作频率104MHz同等于416MHz(50M-Byte/S传输率),相当于是一般单线SPI操作的4倍效能。W25Q系列不但效能超过Parallel flash,还提供更少脚位的封装。
更快的传输率代表控制器可以直接透过SPI介面与闪存做晶片内执行(XIP, eXecute In Place),或是加快复制代码到RAM使开机速度加快。除此之外,部份SpiFlash支援QPI (Quad Peripheral Interface)让指令集可更快的传输,加快XIP的传输效率。另外更小的封装, 更利于对设计空间有限的手持和行动装置应用。®
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q16DVZPIG W25Q16FWSSIQ
W25Q16DVZPIQ W25Q16FWSVIQ
W25Q16DWBYIG W25Q16FWUUAQ
W25Q16DWSNAG W25Q16FWUUIQ
W25Q16DWSSIG W25Q16FWUXIE
W25Q16DWUUIG W25Q16FWZPIQ
W25Q16DWYS06 W25Q16JLSNIG
W25Q16DWZPIG W25Q16JVBYIQ
W25Q16FWBYIG W25Q16JVNIQ
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W9825G6JB系列型号:
W9825G6JB-6
W9825G6JB-6I
W9825G6JB-75一般描述:
W9825G6JB汽车级是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织为4M字4组16位。该器件提供高达每秒 166M 字的数据带宽。W9825G6JB分为以下速度等级:-6,-6I和-75。-6 级符合 166MHz/CL3 或 133MHz/CL2 规范。-6I 工业级符合 166MHz/CL3 规范,支持 -40°C ≤ TA ≤ 85°C。 -75 级符合 133MHz/CL3 规范。
特点:
3.3V ± 0.3V 电源 
高达 166 MHz 的时钟频率 
4,194,304 字  4 库  16 位组织 
自刷新模式:标准和低功耗  CAS 延迟:2 和 3 
突发长度:1、2、4、8 和整页 
突发读取,单次写入模式  字节数据由LDQM控制, UDQM 
掉电模式  自动预充电和受控预充电  8K 刷新周期/64 mS 
接口:LVTTL  采用 TFBGA 54 球 (8x8 mm2) 封装,
使用符合 RoHS 标准的无铅材料
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q16JVSAQ W25Q16JVUXIQ
W25Q16JVSIQ W25Q16JVZPIM
W25Q16JVSNIM W25Q16JVZPIQ
W25Q16JVSNIQ W25Q16JVZPIQ-TR
W25Q16JVSNIQT W25Q16JWSNIM
W25Q16JVSSIQ W25Q16JWSNIQ
W25Q16JVSSIQT W25Q16JWSSIQ
W25Q16JVSSIQTR W25Q16JWXHIQ
W25Q16JVSSIQ-TR W25Q16VSSIG
W25Q16JVUUIQ W25Q20BWZPIG
W25Q16JVUXIM W25Q20CLSNIG
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W74M12JW:W74M产品不但能够让系统设计人员强化程序和资料存储的安全,也可以提供物联网周边设备连到云端的安全性,以及多层次的物联网设备的安全认证。此系列的安全产品也提高了网关、传感器、智慧门铃、网路摄影机和其他新兴设备的安全性。
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q40EWUXIE W25Q64CVSFIG
W25Q512JVEIQ W25Q64CVSFSG
W25Q512JVEIQT W25Q64CVSIG
W25Q512JVFIM W25Q64CVSSIG
W25Q512JVFIQ W25Q64CVSTIM
W25Q64BVFIG W25Q64CVZEIG
W25Q64BVSSI W25Q64CVZESG
W25Q64BVSSIG W25Q64CVZPAG
W25Q64CVCIP W25Q64CVZPIG
W25Q64CVFIG W25Q64DWIG
W25Q64CVIG W25Q64DWSIG
主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。公司承诺所售产品均为原装,更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

W958D6DBC:这是一个256M位CellularRAM™兼容产品,组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
PSRAM(虚拟静态随机存取记忆体)是由一个DRAM主体核心与传统SRAM介面所组成。晶片上的刷新电路,可省略使用者需要记忆体刷新的考量。相对于传统的CMOS SRAM,PSRAM具有更高容量,高速度,更小的晶片尺寸,以及与DRAM相容的优势
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q64DWSS1G W25Q64FVSSBQ
W25Q64DWSTIM W25Q64FVSSIG
W25Q64DWZPIG W25Q64FVSSIQ
W25Q64FVAIQ W25Q64FVSTIM
W25Q64FVBYIF W25Q64FVTCIP
W25Q64FVFIG W25Q64FVZEIG
W25Q64FVSFIG W25Q64FVZPIG
W25Q64FVSIG W25Q64FWBYIG
W25Q64FVSIQ W25Q64FWIG
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深圳市鑫富立科技有限公司
  • 唐苏军
  • 广东 深圳
  • 有限责任公司(自然人独资)
  • 2018-12-27
  • 人民币1000000万
  • IC集成电路
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