STM32H742XIH6，ST意法32位微控制器MCU供货

STM32F103VBT6特性：
这些器件采用2.0至3.6 V电源供电。它们的工作温度范围为–40至+85°C和–40至+105°C扩展温度范围。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。
STM32F103xx中密度系列包括六种不同封装类型的器件:从36引脚到100引脚。根据所选的器件，包括不同的外设集，下面的描述概述了该系列中建议的所有外设。
这些特性使STM32F103xx中密度系列微控制器适合各种应用，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外设、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STM32F072C8U7
STM32F072R8T6
STM32F071V8T6
STM32F091CBT7
STM32F078RBT6
STM32F091CCT7
STM32F072RBT7
STM32F091CCU6
STM32F098CCT6
STM32F091CCU7
STM32F091VCT7
STM32F042C6T7
STM32F071CBT7
STM32F078CBT6
STM32F072CBU7
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32L151RCT6功能描述：
低功耗的STM32L151xC和STM32L152xC器件集成了通用串行总线(USB)与ARM的连接能力®皮质®-M3 32位RISC内核，工作频率为32 MHz (33.3 DMIPS)，内存保护单元(MPU)，高速嵌入式存储器(闪存高达256千字节，RAM高达32千字节)，以及连接到两条APB总线的大量增强I/o和外设。
STM32L151xC和STM32L152xC器件提供两个运算放大器、一个12位ADC、两个DAC、两个低功耗比较器、一个通用32位定时器、六个通用16位定时器和两个基本定时器，可用作时基。
此外，STM32L151xC和STM32L152xC器件包含标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个I2S、三个USARTs和一个USB。STM32L151xC和STM32L152xC器件提供多达23个容性检测通道，可为任何应用添加触摸检测功能。
封装：LQFP-64
包装：tape and reel
ST意法单片机其他型号（部分）：
STM32F071V8T7
STM32F091VBT7
STM32F098RCH6
STM32F091VCH7
STM32F038K6U6
STM32F042G6U7
STM32F051C4U6
STM32F048C6U6
STM32F042K6U7
STM32F058C8U6
STM32F051R8H6
STM32F058R8H6
STM32F071C8U7
STM32F051R8H7
STM32F058R8H7
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G473xB/xC/xE器件基于Arm® Cortex-M4® 32位RISC内核。它们的工作频率高达 170 MHz。
Cortex-M4内核具有单精度浮点单元（FPU），支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP（数字信号处理）指令和存储器保护单元（MPU），从而增强了应用的安全性。
这些器件嵌入了高速存储器（512 KB 闪存和 128 KB SRAM）、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器 （FSMC）（适用于具有 100 引脚及更多引脚封装的设备）、四通道 SPI 闪存接口以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
ST意法单片机MUC型号（部分）：
STM32F103ZCT7
STM32F103VEH7
STM32F103ZEH7
STM32F101CBU6
STM32F101RBH6
STM32F103R8H6
STM32F101V8T6
STM32F103R8H7
STM32F103VBI6
STM32F100VDT6
STM32F100VET6
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SCT50N120
碳化硅功率 MOSFET 1200 V、65 A、59 mOhm（典型值 TJ = 150 C），采用 HiP247 封装
所有功能
导通电阻随温度的变化非常小
非常高的工作结温能力（TJ= 200 °C）
非常快速和坚固的本征体二极管
低电容
ST其他部分单片机型号：
STM32F412ZGT6
STM32L496VGT6
STM32F745VET6
STM32H723ZGI6
STM32L4A6VGT6
STM32L496QGI6
STM32F405RGT7
STM32L4A6QGI6
STM32H725AGI6
STM32F207IEH6ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，我们只做原装，欢迎合作！

SCTW35N65G2VAG
汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C），采用HiP247封装
这款碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体创新的2德·一代碳化硅MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STM32L496QGI3
STM32F423ZHT6
STM32L496ZGT3
STM32L4R5QII6
STM32L4S5QII6
STM32L4R7VIT6
STM32F217IGH6
STM32L4S5ZIT6
STM32F746IGK6
STM32L4R9ZGJ6
STM32F746NGH6
STM32L4S9ZIJ6
STM32F777VIT6
STM32C011J6M6
STM32G030J6M6
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STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
所有功能：
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数（FoM）
极低的栅极电荷
经过100％雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分单片机MCU型号：
STM32G071C8T6
STM32L031K6T7
STM32L031C6T7
STM32F301K6U6
STM32G071KBT6
STM32G0B0RET6
STM32L052K6U6
STM32G071CBT6
STM32L051K8T6
STM32L071K8U6
STM32L412C8T6
STM32G071GBU3
STM32F301K8U7
STM32G071RBT6
STM32L052C8T6ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！