W83L771AWG，WINBOND/华邦内存闪存芯片

W25Q32JV（
32M位）串行闪存为空间、引脚和功率有限的系统提供了一个存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和
性能远远超过普通的系列闪存设备。它们是理想的代码阴影到RAM，直接从双/四轴SPI（
XIP）执行代码，并存储
语音、文本和数据。该设备运行在一个2.7V到3.6V的电源与1µA断电。所有的设备都有节省空间的套餐。
W25Q32JV阵列被组织成16,384个可编程页，每页有256字节。一次多可以编程256个字节。页面可分为16组(4KB
扇区清除）、128组(32KB块删除）、256组(64KB块删除）或整个芯片（芯片清除）。W25Q32JV分别有1,024个可
擦除扇区和64个可擦除块。小型的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W19B160BBT7H W24L257S70LL
W19B320ABT7H W256128JVSIQ
W19L320STT9C W25D40VNIG
W241024AI-15 W25D40VSSIG
W24129AS-35 W25D80SCP
W24257AJ-15 W25D80VSSIG
W24257AS-35 W25H512JVFAM
W24258-70LL W25LQ32DWIG
W2465AJ-15 W25M02GVZEIG
W2465S-70LL W25M02GWZEIG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

W968D6DAGX7I
256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
密度：256兆字节
Vcc： 1.8V/1.8V
频率：大时钟频率 133 MHz
封装：54VFBGA 温度范围：工业-40C~85C
功能列表：支持异步和突发操作， 随机存取时间：70ns，突发模式
读写访问：4、8、16 或 32 字，
或连续突发， 突发换行或顺序， tACLK：133 MHz 时为 5.5ns，104 MHz 时为 7ns，
低功耗特性：TCR、PAR、DPD
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25M512JVEIQ W25P16VSSIG
W25M512JVEJQ W25P20VSNIG
W25M512JVFIQ W25P240AF-6
W25N01GVZEIG W25P243AF-4A
W25N01GVZEIGTR W25P40VSNIG
W25N01GVZEIR W25Q1218BVFG
W25N01GVZEJG W25Q128BVEG
W25N01GWZEIG W25Q128BVEIG
W25N02JWZEIF W25Q128BVEIM
W25N02KVZEIR W25Q128BVFG
W25N02KVZEIRT W25Q128BVFIG
W25N512GWEKR W25Q128FVBIP
W25P16VSIG W25Q128FVEG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

W25Q256JV特性：
SpiFlash 存储器系列 – W25Q256JV：256M 位 / 32M 字节 – 标准 SPI： CLK， /CS， DI， DO – 双 SPI： CLK， /CS， IO0， IO1， – 四通道 SPI： CLK， /CS， IO0， IO1， IO2， IO3 – 3 或 4 字节寻址模式 – 软件和硬件复位（1）  串行闪存 – 133MHz 标准/双通道/四通道 SPI 时钟 – 相当于 266/532MHz 双通道/四通道 SPI – 66MB/S 连续数据传输速率 – 每个扇区至少 100K 编程擦除周期 – 超过 20 年的数据保留 的“连续读取” – 四通道外设接口 – 允许真正的 XIP（就地执行）操作 – 优于 X16 并行闪存  低功耗、宽温度范围 – 2.7 至 3.6V 单电源 –<1μA 关断（典型值） – -40°C 至 +85°C 工作范围 – -40°C 至 +105°C 工作范围
华邦其他型号：
W25Q128FVEIG W25Q128FWFIG
W25Q128FVFG W25Q128FWFIQ
W25Q128FVFIG W25Q128FWPF
W25Q128FVIQ W25Q128FWPG
W25Q128FVPIG W25Q128FWPIF
W25Q128FVPIQ W25Q128FWPIG
W25Q128FVPQ W25Q128FWPIM
W25Q128FVSAQ W25Q128FWPM
W25Q128FVSIG W25Q128FWSBQ
W25Q128FVSIQ W25Q128FWSIF
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多信息咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系。
W25Q64JV 阵列分为 32，768 个可编程页，每个页 256 字节。
一次多可编程 256 个字节。页面可以按 16 个组（4KB 扇区擦除）、128 组（32KB 块擦除）、256 组（64KB 块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。
W25Q64JV 分别有 2，048 个可擦除扇区和 128 个可擦除块。小型 4KB 扇区为需要数据和参数存储的应用程序提供了更大的灵活性
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q128JWPIQ W25Q16CVSIG
W25Q128JWSIQ W25Q16CVSNAG
W25Q128JWYIQ W25Q16CVSP
W25Q16BVNIG W25Q16CVSSIG
W25Q16BVS1G W25Q16DVDAIG
W25Q16BVSIG W25Q16DVIG
W25Q16BVSNIG W25Q16DVNIG
W25Q16BVSSIG W25Q16DVSIG
W25Q16CLNIG W25Q16DVSNIG
W25Q16CLSSIG W25Q16DVSNSG
W25Q16CVAIG W25Q16DVSSIG
W25Q16CVSFIG W25Q16DVUUIG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多信息咨询我们的

W25Q16F系列：
W25Q16FWUXIE
W25Q16FWBYIG
W25Q16FWSSIQ
W25Q16FWUUIQ
W25Q16FWSNIQ
W25Q16FWZPIQ
W25Q16FWSNIG
W25Q16FWSSIG
W25Q16FWSVIQ
W25Q16FWBIYG
产品特性：
W25Q16FW（16M 位）串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM，直接从双/四通道 SPI （XIP） 执行代码并存储语音、文本和数据。
该器件采用 1.65V 至 1.95V 单电源供电，电流消耗低至 4mA 有效，关断电流低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
串行闪存 – 104MHz 单通道、双通道/四通道 SPI 时钟 – 等效于 208/416MHz 双通道/四通道 SPI – 50MB/S 连续数据传输速率 – 每个扇区至少 100K 编程擦除周期 – 超过 20 年的数据保留
W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式，相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。W25Q系列是25X系列的进阶版，可支援Quad-I/O SPI四线输出入模式提供更高的效能，操作频率104MHz同等于416MHz（50M-Byte/S传输率），相当于是一般单线SPI操作的4倍效能。W25Q系列不但效能超过Parallel flash，还提供更少脚位的封装。
更快的传输率代表控制器可以直接透过SPI介面与闪存做晶片内执行（XIP， eXecute In Place），或是加快复制代码到RAM使开机速度加快。除此之外，部份SpiFlash支援QPI （Quad Peripheral Interface）让指令集可更快的传输，加快XIP的传输效率。另外更小的封装， 更利于对设计空间有限的手持和行动装置应用。®
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q16DVZPIG W25Q16FWSSIQ
W25Q16DVZPIQ W25Q16FWSVIQ
W25Q16DWBYIG W25Q16FWUUAQ
W25Q16DWSNAG W25Q16FWUUIQ
W25Q16DWSSIG W25Q16FWUXIE
W25Q16DWUUIG W25Q16FWZPIQ
W25Q16DWYS06 W25Q16JLSNIG
W25Q16DWZPIG W25Q16JVBYIQ
W25Q16FWBYIG W25Q16JVNIQ
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多信息咨询我们的销售人员。

W634GU6NB-12
W634GU6NB-11
W634GU6NB-09
W634GU6NB-15
DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的频宽并广泛用于汽车，工业，电视，机上盒，网路设备，电脑，BD播放器等。
已发布的 CAS，具有可编程的加性延迟（AL = 0、CL - 1 和 CL - 2），可提高命令、地址和数据总线效率
读取延迟 = 附加延迟加上 CAS 延迟 （RL = AL + CL） 读取和写入突发
的自动预充电操作 刷新、自刷新、自动自刷新 （ASR） 和部分阵列自刷新 （PASR）
预充电掉电和主动断电
用于写入数据
的数据掩码 （DM）
每个工作频率
的可编程 CAS 写入延迟 （CWL） 写入延迟 WL = AL + CWL
多用途寄存器 （MPR），用于读出预定义的系统时序校准位序列 通过写入电平和 MPR 读取模式
支持系统级时序校准 ZQ 使用外部基准电阻对地对地对输出
驱动器和 ODT 进行校准 用于上电初始化序列
和复位功能的
可编程片上端接 （ODT），用于数据、数据掩模和差分选通对
动态 ODT 模式可改善写入
期间的信号完整性和可预选的端接阻抗 2K 字节页面大小
接口：SSTL_15
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q20EWBYIG W25Q256JVEIM
W25Q20EWSVIG W25Q256JVEIQ
W25Q20EWUXIE W25Q256JVEIQT
W25Q256FVEIG W25Q256JVEQ
W25Q256FVEIM W25Q256JVFAM
W25Q256FVEIQ W25Q256JVFIM
W25Q256FVEJQ W25Q256JVFIN
W25Q256FVEM W25Q256JVFIQ
W25Q256FVFG W25Q256JVFJQ
W25Q256FVFIG W25Q256JVFQ
W25Q256JVEAQ W25Q256JWFIQ
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。