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晶圆经过前道工席后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同:
厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低;
厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成损伤，从而提高良率，但是其工艺过程更为复杂。
为了保护晶圆在切割过程中免受外部损伤，事先会在晶圆上贴敷胶膜，以便更安全的“切单”。“背面减薄”过程中，胶膜会贴在晶圆的正面。但与此相反，在“刀片”切割中，胶膜要贴在晶圆的背面。而在共晶贴片，把分离的芯片固定在PCB或定架上过程中，贴会背面的这一胶膜会自动脱落。切割时由于摩擦很大，所以要从各个方向连续喷洒DI水(去离子水)。而且，叶轮要附有金刚石颗粒，这样才可以更好地切片。此时，切口(刀片厚度:凹槽的宽度)均匀，不得超过划片槽的宽度。
很长一段时间，锯切一直是被广泛使用的传统的切割方法，其大的优点就是可以在短时间内切割大量的晶圆。然而，如果切片速度大幅提高，小芯片边缘剥落的可能性就会变大。因此，应将叶轮的旋转次数控制在每分钟30000次左右。
刀痕，自动校准基准线位置，防止崩边过大及切片造成良率的损失。能进行测高并同步切割作业时对切割刀刃进行实时检测。清洗部位配备水汽二流体清洗装置，能对加工物进行清洗。半自动划片机LX3356机台可作业8时wafer，含自动光学补偿、聚焦及自特征点功能，配有高低倍两种镜头，可用于切割道宽度测量、基准线补偿调整等。可自动检测切割刀痕，自动校准基准线位置，防止崩边过大及切片造成良率的损失。能进行测高并同步切割作业时对切割刀刃进行实时检测。
切片工序的关键部分是切割刀片的修整(dressing)。在非监测的切片系统中，修整工序是通过一套反复试验来建立的。在刀片负载受监测的系统中，修整的终点是通过测量的力量数据来发现的，它建立佳的修整程序。这个方法有两个优点:不需要来佳的刀片性能，和没有合格率损失，该损失是由于用部分修整的刀片切片所造成的质量差。
蓝膜由于受其温度影响乃粘性度会发生变化，而且本身粘性度较高，因此，一般较大面积的芯片或者wafer减薄划切后直接进行后封装工艺，而非直接进行倒封装工艺做Inlay时，可以考虑使用蓝膜。
