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辽宁铜电化学沉积的动态硅通孔填充⼯艺TSV,TSV电镀

更新时间:2024-05-17 10:39:39 编号:s92qrum8c25791
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徐发杰

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辽宁硅通孔填充⼯艺,芯片拉力测试 ,硅通孔填充⼯艺晶圆,晶圆划片保护液
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辽宁铜电化学沉积的动态硅通孔填充⼯艺TSV,TSV电镀

在三维集成中 TSV 技术可分为三种类型:在 CMOS ⼯艺过程之前在硅片 上完成
通孔制作和导电材料填充的是先通孔技术;⽽中通孔,在CMOS制 程之后和后端
制程(BEOL)之前制作通孔。后⼀种后通孔技术是在 CMOS ⼯艺完成后但未
进⾏减薄处理时制作通孔。终技术⽅案的选择要 根据不同的⽣产需求。

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失效分析技术:Decap开盖,x-ray,快速封装,陶瓷封装,管壳封装,气密性测试,拉力测试,剪切力测试等。

小型喷镀机台
配备有Stir Cup适用于研发以及小批量生产。
特别适合于镀孔,Sn/Ag电镀,Cu pillar等电镀制程。
铜凸块制程即wafer从晶圆加工完成基体电路后,利用涂胶、黄光、电镀及蚀刻制程等制作技术通过在芯片表面制作铜锡凸点,提供了芯片之间、芯片和基板之间的“点连接”,由于避免了传统Wire Bonding 向四周辐射的金属“线连接”,减小了芯片面积(封装效率),此外凸块阵列在芯片表面,引脚密度可以做得很高,便于满足芯片性能提升的需求,并具有较佳抗电迁移和导热能力以及高密度、低阻抗,低寄生电容、低电感,低能耗,低信噪比、低成本等优点。

组装胶粘剂 胶粘剂导电型
LOCTITE ABLESTIK ABLEBOND 84-1LMI
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LOCTITE ABLESTIK ICP-3535M1
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非导电粘合剂
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薄膜导电型
乐泰 CF3350

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