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GB/T13539.1——2002 《低压熔断器基本要求》
GB/T13539.4——2005 《低压熔断器基本要求》
3.2 分断能力: 1000A (AC 130V);
3.3 工作温度范围： –40℃～125℃;
3.4 温度和电流对应关系如下:
环境温度 －40℃ －20℃ 0℃ 25℃ 55℃ 85℃ 125℃
额定电流 In 120% 110% 105% 90% 80% 70%
3.5 储存温度范围：–40℃～125℃；
近年来，保险丝技术的发展很快，并且通过计算机分析熔断部件过程中的现象为保险丝的性能提供了革命性的进步。保险丝行为的计算机仿真正帮助保险丝设计者更好地理解在保险丝工作中发生的一些现象，这些现象原来是非常神秘的过程。
一个更具革命性的改变是由厚薄薄膜技术引入的。款金属薄膜保险丝是于1985年引入的。
芯片保险丝于1995年正式面市。并且，新材料在保险丝和电路断路器的更新换代中也起到了重要作用。ABB公司的研究人员开发了一种半导体聚合物。当被做成薄片并置于两电极之间时，这种聚合物可导电。但当电流迅速升高时，薄片与铜电极接合处升温至110℃，此时靠近聚合物表面的粒子分离，使电阻迅速升高。
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