美国DTS替代DTS系统

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关键词	DTS烧结银焊片,DTS+TCB焊片,DTS预烧结焊片,DTS焊片	面向地区	全国	加工定制	是
熔点	450℃	材质	银	是否含助焊剂	否

美国DTS替代DTS系统

射频器件无压烧结银AS9376

新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封装，以应用于电动车逆变器SiC导线架技术为例，导线架Copper Clip和SiC芯片连接采用烧结银AS9385连接技术，

可实现高可靠、高导电的连接的需求，很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模组制造商，在汽车模组中均或多或少的采用该烧结银DTS技术，

在成型技术也相当困难，由于电镀银是局部镀银，相较于全镀，部分镀银技术很难，做模具，且放置芯片处用局部银，一个导线架搭两个芯片，芯片局部银，其他引线框架用镍钯金，材料差异对引线框架制作是很大的技术挑战。

众所周知，在单管封装中，影响器件Rth(j-c)热阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的导热率为370W/(m.K)，远IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超过金属铝(220W/(m.K))，与Lead Frame的铜(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的导热率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整个器件内部Rth(j-c)热阻之权重，是不言而喻的。

使用了GVF预烧结银焊片使器件结温可以超过200°C。因此，GVF预烧结银焊片可以大幅降低功率限额，或者在确保电流相同的情况下缩小芯片尺寸，从而降低电力成本。

SHAREX的预烧结银焊片GVF9800（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）是结合了烧结银，铜箔和其他材料的一种复合材料，由以下四个部分组成：具有键合功能的铜箔；预涂布AS9385系列烧结银；烧结前可选用临时固定的胶粘剂；保护膜或者承载物。