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ixys可控硅VHF15-16IO5开封励磁可控硅模块

更新时间：2024-11-13 06:00:40 信息编号：913h27bt05b8cf
ixys可控硅VHF15-16IO5开封励磁可控硅模块

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ixys可控硅VHF15-16IO5开封励磁可控硅模块

产品别名
励磁可控硅模块
面向地区
全国
换相冲击电压
包括换相过电压和换相振荡过电压。换相过电压是由于晶闸管的电流降为0时器件内部各结层存载流子复合所产生的，所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压。换相过电压之后，出现换相振荡过电压，它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压，其值和换相结束后的反向电压有关。反向电压越高，换相振荡过电压也越大。
针对形成过电压的不同原因，可以采取不同的抑制方法，如减少过电压源，并使过电压幅值衰减；抑制过电压能量上升的速率，延缓已产生能量的消散速度，增加其消散的途径；采用电子线路进行保护等。常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常称之为吸收回路或缓冲电路。
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