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STV300NH02L,ST意法场效应管原装供货

更新时间:2024-07-04 01:04:37 编号:af3enp656a799b
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周玉军

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ST意法场效应管MOSFET原装系列
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STV300NH02L,ST意法场效应管原装供货

主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G071KBU6功能描述:
主流Arm Cortex-M0+ MCU,具有128 KB Flash存储器、36 KB RAM、64 MHz CPU、4x USART、定时器、ADC、DAC和通信接口,1.7-3.6V
ST意法MOSFET场效应管型号(部分):
STFU10N80K5
STFU10NK60Z
STFU13N65M2
STFU15N80K5
STFU16N65M2
STFU23N80K5
STFW1N105K3
STFW2N105K5
STFW3N170
STFW45N65M5
STFW8N120K5
STH10N80K5-2AG
STH12N120K5-2
STH15810-2
STH30N65DM6-7AGST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,以信用为基石,诚意合作。

主营产品:MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32F030F4P6特性:
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了Arm®皮质®-工作频率为48 MHz的M0 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和高达32千字节的SRAM),以及广泛的增强型外设和I/o。所有设备都提供标准通信接口(多两个I2Cs、多两个SPI和多六个USARTs)、一个12位ADC、七个通用16位定时器和一个控制PWM定时器。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器采用2.4至3.6V电源供电,工作温度范围为-40至+85°C。一套全面的省电模式支持低功耗应用的设计。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器包括四种不同封装的器件,从20引脚到64引脚不等。根据所选的设备,包括不同的外设集。以下描述概述了建议的完整系列STM32F030x4/x6/x8/xC外设。
这些特性使STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器适合各种应用,如应用控制和用户界面、手持设备、A/V接收器和数字电视、PC外设、游戏和GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号(部分):
STFH10N60M2
STFH13N60M2
STFH18N60M2
STFI10NK60Z
STFI13N65M2
STFI13NM60N
STFI15N60M2-EP
STFI24N60M2
STFI26NM60N
STFI31N65M5
STFI9N60M2ST/意法常用型号备有大量现货。如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。

VNH5200ASTR性能特性:
汽车认证
输出电流:8安
3 V CMOS兼容输入
欠压关闭
过压箝位
热关机
交叉传导保护
电流和功率限制
非常低的待机功耗
防止土地流失和VCC流失
电流检测输出与电机电流成比例
输出受到接地短路和V短路保护抄送
包装:生态包®
ST意法MOSFET场效应管型号(部分):
STF36N60M6
STF38N65M5
STF3LN80K5
STF3N62K3
STF3NK100Z
STF3NK80Z
STF3NK90Z(046Y)
STF40N60M2
STF42N65M5
STF43N60DM2
STF45N65M5
STF46N60M6ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,以信用为基石,诚意合作。如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G473xB/xC/xE器件基于Arm® Cortex-M4® 32位RISC内核。它们的工作频率高达 170 MHz。
Cortex-M4内核具有单精度浮点单元(FPU),支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP(数字信号处理)指令和存储器保护单元(MPU),从而增强了应用的安全性。
这些器件嵌入了高速存储器(512 KB 闪存和 128 KB SRAM)、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器 (FSMC)(适用于具有 100 引脚及更多引脚封装的设备)、四通道 SPI 闪存接口以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
ST意法MOSFET场效应管型号(部分):
STF13N60M2
STF13N65M2
STF13N80K5
STF13N95K3
STF13NK50Z
STF13NM60N
STF13NM60ND
STF140N6F7
STF14N80K5
STF14NM50N
STF15N65M5
STF15N80K5
STF15NM65N
STF16N65M5ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

SCTW35N65G2VAG
汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),采用HiP247封装
这款碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体创新的2德·一代碳化硅MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STB30N65DM6AG
STB30N65M2AG
STB30N80K5
STB30NF10T4
STB30NF20
STB31N65M5
STB32NM50N
STB33N60DM6
STB33N60M6
STB34N65M5
STB36NM60N
STB36NM60ND
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,我们只做原装,欢迎合作!

STB100N10F7
N 沟道 100 V、0.0068 欧姆(典型值)、80 A STripFET F7 功率 MOSFET,采用 D2PAK 封装
这些 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技术,具有增强的沟槽栅极结构,可实现非常低的导通电阻,同时还降低了内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更的开关。
所有功能
在低的R中DS(开启)在市场上
的FoM(品质因数)
低 C.rss/C国际空间站抗扰度比
高雪崩性
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STB37N60DM2AG
STB45N30M5
STB46NF30
STB47N50DM6AG
STB47N60DM6AG
STB4NK60Z-1
STB4NK60ZT4
STB55NF06LT4
STB55NF06T4
STB57N65M5
STB5N80K
STB60NF06LT4
STB60NF06T4
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STD100N10F7
N沟道100 V、0.0068 Ohm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET,DPAK封装
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
处于市面上低的 RDS(on) 行列
出色的品质因数(FoM)
较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
坚固的抗雪崩能力
STD100N3LF3:
N沟道30 V、0.0045 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) II功率MOSFET,DPAK封装
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STD1NK60-1
STD1NK60T4
STD1NK80ZT4
STD20NF06T4
STD20NF20
STD25N10F7
STD25NF10LA
STD25NF10LT4
STD25NF10T4
STD25NF20
STD26P3LLH6
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STE40NC60
N沟道600V 0.098 Ohm 40A ISOTOP POWERMESH II MOSFET
The PowerMESH™二是代网格覆盖的演变™.引入的布局改进地改善了 Ron* 面积品质因数,同时使器件在速度、栅极电荷和性方面保持。
所有功能:
典型 RDS(打开)= 0.098 Ω
雪崩测试
的DV/dt能力
栅极电荷小化
新的高压基准
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STD5N20LT4
STD5N52K3
STD5N52U
STD5N60DM2
STD5N60M2
STD5N95K3
STD5N95K5
STD5NK40Z-1
STD5NK40ZT4
STD5NK50ZT4
STD5NK60ZT4
ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

STFH10N60M2
N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220FP宽沿面封装
STFU10N80K5
N沟道800 V、0.470 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP超窄引线封装
这些压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh™ K5 技术设计,该技术基于创新的专有垂直结构。其结果是显著降低导通电阻和低栅极电荷,适用于需要功率密度和率的应用。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STD8N65M5
STD8N80K5
STD95N4F3
STD96N3LLH6
STD9N60M2
STD9N60M6
STD9N65M2
STD9NM50N
STD9NM60N
STDLED625H
STE40NC60
STE88N65M5
STF100N10F7
STF10N105K5
ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

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公司介绍

深圳市鑫富立科技有限公司成立于年轻而富有活力的科技城市——深圳。公司拥有的销售团队和的服务团队,丰富的产品线。我们坚持为每一位客户提供好的产品,完善的解决方案,的服务。立足深圳,面向,公司致力于打造成为具有影响力的综合性元器件提供商。
我们与国内外众多厂商建立了稳固的合作关系,拥有丰富的产品线。代理分销产品有:MCU单片机、存储芯片、逻辑芯片、电源管理、数据转换、触摸芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频器件、音频功放、驱动芯片、接口芯片、蓝牙芯片、监控芯片、定位芯片、WIFI芯片、汽车芯片、光耦合器等。我们的产品广泛应用于汽车、通讯、安防、手机、平板、穿戴、智能家居、车载、蓝牙、GPS、IoT、医疗、家电、玩具、工控等。
“诚信为本,品质;共创价值,合作共赢“是我们不变的宗旨。我们始终如一地为客户提供的服务,为客户创造更大的价值。
经过近十年的发展壮大,公司现已有几十个品牌上万种各种型号规格的产品。我们代理分销的品牌有:ST、GD、TI、MPS、INFINEON、MICROCHIP、WINBOND、MXIC、BOYAMICRO、NXP、REALTEK、HISILICON、MITSUBISH、NORDIC、EPSON、SEIKO,NDK、KDS、TXC、MURATA、EPCOS、AWINIC、SGMICRO、BELLING、AOS、Silicon、WILLSEMI、INPAQ、WISOL、EPCOS、TAIYO、WALSIN、HD、ACX、MAXIM、MAXSCEND、RDA、JRC、EPTICORE、CHIPHOMER、MIRAMEMS、QST、BOSCH、MEMSIC、INVENSENSE、MCUBE、VANCHIP、RICHTEK、U-BLOX等等。
公司产品品类涵盖了:单片机MCU、存储IC、逻辑IC、晶振、滤波器、双工器、PA功放、音频功放、电源IC、充电IC、fc前法拉电容、GPS低噪放大器、地磁传感器、重力传感器、距离传感器、陀螺仪、气压传感器、心率传感器、光感、定位IC、LED驱动、呼吸灯、模拟开关、二三极管、MOS、TVS、电感、磁珠、共模滤波器等等。
随着公司的发展,新的品牌和产品在不断地增加更新中。我们期待与您的合作!

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