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校准区截面呈方形，晶圆上料装置和晶圆收料装置对应设置在方形的相邻两侧边，晶圆取放装置对应设置在晶圆上料装置和边缘式校准器之间，且自动导片机还包括位于校准区的负离子发生器。这样设置，结构紧凑，设备运行，同时，负离子发生器可产生大量带有正负电荷的气流，可以将晶圆检测区内的物体表面所带电荷中和。
晶圆划片是半导体芯片制造工艺流程中的一道的工序，在晶圆制造中属于后道工序。将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片（晶粒），称为晶圆划片。Si、SiC、Sapphire、Inp等材料被广泛应用于半导体晶圆的衬底材料。随着晶圆集成度大规模提高，晶圆趋向于轻薄化，传统的很多加工方式已不再适合。于是部分工序引入了激光切割技术。
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。
晶圆制造厂把这些多晶硅融解，再在融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。
现有晶圆隔道通常采用裂片刀沿着切割线进行切开,使得容易造成芯片隔道交错区域边缘崩裂的同时产生的碎屑不好排出,并且现有的晶圆在裂片时,由于受到不同方向的力进行裂片,裂片效率较低,同时容易让芯片发生位移,从而产生划痕造成损伤。
硅片是制作晶体管和集成电路的原料。一般是单晶硅的切片。硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。
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