关键词 |
可控硅 |
面向地区 |
全国 |
封装外形 |
平板形 |
极数 |
二极 |
可控硅有多种分类方法:
1、按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种;
2、按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅;
3、按封装形式分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种;
4、按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装;
5、按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅;
6、过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,是过零点才触发,导通可控硅;
7、非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角(角相位),来改变输出百分比。
可控硅主要参数:电流
1、额定通态电流即大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
2、反向重复峰值电压或断态重复峰值电压,俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏;
3、控制极触发电流,俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安;
4、在规定环境温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的电流平均值。
晶闸管可工作的大频率由其工作时的电流脉冲宽度,关断时间以及从关断后承受正压开始至其再次开通的时间决定。fmax=1/(tq+tp+tV)。根据工作频率选取元件时元件从正向电流过零至开始承受正压的时间间隔tH>tq,并留有一定的裕量。随着工作频率的升高,元件正向损耗和反向恢复损耗随之升高,元件通态电流须降额使用。
晶闸管通态电流上升率:元件通态电流上升率的临界重复值。其对应不重复测试值为重复值的以上,在使用过程中,元件导通期时候的电流上升率都不能超过其重复值;
晶闸管元件的选择:
正确地选择晶闸管、整流管等电力电子器件对整机设备的可靠性及降低设备成本具有重要意义。元件的选择要综合考虑其使用环境、冷却方式、线路型式、负载性质等因素,在所选元件各参数具有裕量的条件下兼顾经济性。由于电力电子器件的应用领域十分广泛,具体应用形式多种多样。
晶闸管的工作原理:
1、晶闸管具有单向导电性:正向导通条件:A、K间加正向电压,G、K间加触发信号;
2、晶闸管一旦导通,控制失去作用:若使其关断,降低UAK或加大回路电阻,把阳电流减小到维持电流以下;
晶闸管的结构:晶闸管由四层半导体材料构成,它有三个:阳,阴和门。晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。
晶闸管也像半导体二管那样具有单向导电性,但它的导通时间是可控的,主要用于整流、逆变、调压及开关等方面。就是一个用在电路里面的开关,可以经受很大的电压和电流。上千安培和上千伏特。晶闸管的使用优点:体积小、重量轻、、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、 容量大(正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏)。
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