IPD65R660CFDATMA2，英飞凌MOS场效应管原装

英飞凌广泛的 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 产品组合小巧紧凑，包括OptiMOS™和StrongIRFET™适用于低、中、高功率应用的技术。
低压 12 V-40 V MOSFET 产品系列包括 20 V N 沟道功率 MOSFET、30 V N 沟道 MOSFET 和 40 V N 沟道 MOSFET。英飞凌的™ 光电产品组合提供更高的效率和功率密度，而庞大的产品组合强式红外场效应管™产品提供、坚固的设计以及的性能。通过提供两者OptiMOS™和StrongIRFET™在产品系列中，英飞凌提供节省空间的解决方案不仅优化了热性能，而且在减小尺寸的同时提高了额定电流。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPB0401NM5SATMA1
IPB044N15N5ATMA1
IPB048N15N5ATMA1
IPB049N08N5ATMA1
IPB060N15N5ATMA1
IPB107N20NAATMA1
IPB110P06LMATMA1
IPB19DP10NMATMA1
IPB320P10LMATMA1
IPB330P10NMATMA1
IPB50R140CPATMA1
IPB50R199CPATMA1
IPB60R040C7ATMA1
IPB60R045P7ATMA1
IPB60R060C7ATMA1
IPB60R099C6ATMA1
IPB60R099C7ATMA1
IPB60R099CPATMA1
IPB60R099P7ATMA1
IPB60R120C7ATMA1
英飞凌大量原装现货，让您合作无忧。

AURIX™ TriCore™ 在单个MCU中集成了一个RISC处理器内核、一个微控制器和一个DSP。基于TriCore™ 的产品在汽车中的应用非常广泛，包括内燃机控制、纯电动和混合动力汽车、变速器控制单元、底盘域、制动系统、电动转向系统、安全气囊、联网和驾驶辅助系统，并推动着自动化，电动化以及网联化的发展。AURIX™ 系列还适用于工业应用领域，在优化电机控制应用和信号处理方面非常具有性。
英飞凌广泛的产品组合使得工程师能根据自己所需的存储器、外设、频率、温度和封装挑选合适的产品。并且，所有这些在不同的产品间都具有很高的兼容性。
英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
BSS127H6327XTSA2
BSS131H6327XTSA1
BSS139H6327XTSA1
BSS169H6906XTSA1
BSS84PH6327XTSA2
BSZ018NE2LSATMA1
BSZ019N03LSATMA1
BSZ025N04LSATMA1
BSZ028N04LSATMA1
BSZ042N06NSATMA1
BSZ065N03LSATMA1
BSZ100N06NSATMA1
BTS132E3129NKSA1
FF2MR12KM1PHOSA1
IAUA120N04S5N014
IAUA180N04S5N012
IAUA200N04S5N010
IAUC100N04S6L020
IAUC100N04S6L025
IAUC100N04S6N015
常用型号大量现货，更多型号请咨询！

IRL1404ZSTRLPBF
40V 单 N 沟道六通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 D2Pak 封装
优点：
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优化
符合JEDEC标准的产品认证
逻辑电平：针对 10 V 栅极驱动电压进行了优化，能够支持 4.5 V 栅极驱动电压
行业标准表面贴装电源封装
高载流能力封装（高达 195 A，取决于芯片尺寸）
可进行波峰焊
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IRL1404ZSTRLPBF
IRL2203NPBF-INF
IRL2203NSTRLPBF
IRL3705NSTRLPBF
IRL3705ZSTRLPBF
IRL60SC216ARMA1
IRLML2402GTRPBF
IRLML6402GTRPBF
IRLR2905ZTRLPBF
IRLR3110ZTRLPBF
IRLR3110ZTRRPBF
IRLR3410PBF-INF
IRLU8729-701PBF
ISC0602NLSATMA1
ISC0603NLSATMA1
ISC0702NLSATMA1
ISC0703NLSATMA1
ISC0802NLSATMA1
ISC0803NLSATMA1
ISC0804NLSATMA1
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！