四川DTSDTS预烧结银焊片DTS+TBC工艺

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四川DTSDTS预烧结银焊片DTS+TBC工艺

关键词	DTS预烧结银焊片,DTS烧结银盘,DTS预烧结焊片,DTS碳化硅芯片焊片	面向地区	全国	加工定制	是
熔点	450℃	材质	银	是否含助焊剂	否

众所周知，在单管封装中，影响器件Rth(j-c)热阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的导热率为370W/(m.K)，远IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超过金属铝(220W/(m.K))，与Lead Frame的铜(390 W/(m.K))非常接近。而一般焊料的导热率才60 W/(m.K)左右，典型厚度在50-100um，所占整个器件内部Rth(j-c)热阻之权重，是不言而喻的。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）和金，银，铜表面剪切强度都很大。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）的使用方法为：Pick & Place；